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정부, ‘미니신도시’ 들어설 용산 정비창 일대 거래 규제 강화

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Friday, May 15, 2020, 14:05:08

‘토지거래 허가구역’ 지정
토지 취득 시 지자체 허가 필수
용도제한 2년..임대‧매매 불가

인더뉴스 이재형 기자ㅣ복합개발이 예정된 용산 정비창 부지와 인근 택지에 대한 거래 제한이 강화됩니다. 이 곳의 토지를 취득하려면 용산구청 등에 용도를 밝힌 후 허가를 받아야 하며 매매도 제한받게 됐습니다.

 

국토교통부는 오는 20일부터 용산 정비창 부지(한강로동 0.51㎢)와 한강로동‧이촌2동 일대의 재건축‧재개발 사업구역 13개소(총 0.77㎢)을 ‘토지거래 허가구역’으로 지정한다고 14일 밝혔습니다.

 

지정기간은 1년이며 향후 재지정 여부를 결정할 방침입니다.

 

 

정부는 지난 6일 용산 정비창 부지에 도심형 공공주택 등 총 8000호를 공급하겠다는 계획을 발표한 바 있습니다. 또 주택 공급으로 인해 매수심리를 자극할 우려가 큰 지역은 토지거래 허가구역으로 지정하고 투기를 막기로 했는데요.

 

역세권 우수입지에 주거 외에 업무·상업·편의시설을 복합개발하는 이 사업의 성격상 주변 재건축‧재개발 사업장에 대한 투기 우려가 높아 토지거래 허가구역으로 지정한다는 게 정부의 판단입니다.

 

토지거래 허가구역으로 지정된 토지는 취득, 관리에 대한 제약이 생깁니다. 이번에 지정된 곳은 토지를 일정면적 이상(주거지역 18㎡, 상업지역 20㎡)취득하려면 사전에 토지이용목적을 밝히고 시‧군‧구청장의 허가를 받아야 합니다.

 

허가받은 목적에 맞게 일정기간 토지를 이용해야 할 의무도 적용됩니다. 특히 주거용 토지는 2년 간 실 거주만 할 수 있고 매매나 임대가 금지됩니다.

 

정부는 일대 지가변동, 거래량 등 동향을 살피고 시장 불안요인이 포착되면 지정구역을 확대하는 등 방안을 검토할 계획입니다. 특히 국토부 내 ‘부동산시장불법행위 대응반’이 실거래 집중 조사에 나서 주요 이상거래를 단속하기로 했습니다.

 

김영한 국토교통부 토지정책관은 “용산 정비창 부지 인근 정비사업장을 중심으로 지가상승의 기대심리를 사전 차단할 필요가 있다는 판단 하에, 토지거래허가구역을 지정하게 됐다”도 말했습니다.

 

그는 이어 “향후 주택공급 확충을 위해 ‘수도권 주택공급 기반 강화 방안’에 따라 추진되는 다른 개발사업에 대해서도 사업 규모, 투기 성행 우려, 주변 여건 등을 종합 감안하여 필요 시 허가구역 지정을 추진할 계획”이라고 덧붙였습니다.

 

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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