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오리온 공장 노동자, 극단적 선택...“직장내 괴롭힘 의혹에 재조사 착수"

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Wednesday, May 20, 2020, 18:05:43

시민사회모임, 재조사 때 제 3자 입회 요구..사측은 "거절"
오리온 “객관적으로 조사 중..사실 시 엄중한 처벌 약속”

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ오리온 공장에서 일하던 20대 여성 직원이 직장 내 괴롭힘에 시달리다 지난 3월 극단적 선택을 했다며 시민사회모임이 회사의 사과와 재발방지를 촉구하는 기자회견을 지난 19일 가졌습니다. 이날 기자회견이 끝나고 양측 관계자들 간 면담도 진행됐습니다.

 

지난 19일 오전 11시 오리온 본사 앞에서 ‘오리온 익산공장 청년노동자 추모와 진상규명을 위한 시민사회모임’(이하 시민사회모임)은 “생전에 직장 괴롭힘으로 고통받고, 죽으면서까지 유서로 호소한 고인과 그 유가족에게 사과하라”며 “철저한 진상규명은, 물론 다시는 이런 일이 없도록 재발방지대책을 수립하라”고 밝혔습니다.

 

시민사회모임은 이날 “고(故) 서모씨(22세)는 지난 3월 17일 직장 내 괴롭힘 등으로 극단적인 선택을 했다”며 “고인은 사내 유언비어와 부서이동 등으로 ‘자살하고 싶다’고 말하며 괴로움을 호소했었고, 죽기 얼마 전에는 상급자로부터 업무 시간 외 불려 다니며 시말서 작성을 강요당했다. 최근에는 성희롱까지 당했다는 진술이 나왔다”고 주장했습니다.

 

이들은 “유가족과 언론 취재진과의 면담 자리에서 ‘자체조사 결과 아무 문제가 없다’고 통보한 뒤 금전을 입금하고 연락을 끊었다”며 “이는 상식적으로 이해할 수 없다는 태도”라고 밝혔습니다.

 

그러면서 “생전에 직장 괴롭힘으로 고통받고, 죽으면서까지 유서로 호소한 고인과 그 유가족에게 사과하라”며 “철저한 진상규명은, 물론 다시는 이런 일이 없도록 재발방지대책을 수립하라”고 주장했습니다.

 

고인이 작성했다고 알려진 유서에는 “오리온이 너무 싫어. 돈이 뭐라고. 이제 그만하고 싶어”, “상급자의 실명, 직책, ‘그만 괴롭혀라’ 등의 내용이 담겨 있는 것으로 전해졌습니다.

 

한편, 이날 기자회견 후에 시민사회모임과 오리온 관계자는 서로의 입장을 확인하는 면담을 진행했습니다.

 

면담에 참석한 시민사회모임 관계자에 따르면 사측에 ‘직장 괴롭힘 인정’, ‘회사의 사과’, ‘고인의 죽음을 사적인 문제로 치부하는 식의 주장을 중단할 것’ 등을 요청했습니다. 또 재조사에 제 3자가 입회하는 방안도 요구했습니다.

 

모임 관계자는 “사측이 사과와 제 3자 입회는 거절했다”며 “오리온이 자체적으로 다시 한 번 조사하겠다고 답변받았다”라고 말했습니다.

 

오리온 측은 “경찰조사, 노동조합조사, 고용노동부 조사등이 이뤄지고 있다”라며 “현재까지 조사 결과에서는 ‘부당한 업무지시’, ‘직장 내 괴롭힘’, ‘집단 괴롭힘’ 등에 대한 정황을 찾을 수 없었다”고 말했습니다.

 

시민사회모임이 요청한 제 3자 입회에 대해서는 “현재 회사 관계자들끼리만 재조사를 하는 것이 아니다”라며 “객관적으로 조사하고 있다”고 설명했습니다.

 

이어 “지금 고용노동부 조사가 진행 중인 것으로 안다. 혹여, 다른 피해자가 생기면 안 되기 때문에 조사결과가 제대로 나올 수 있도록 회사는 최대한 협조하고 있는 상황”이라며 “조사결과, 잘못이 명백해지면 법과 규정에 따라서 처벌을 엄중하게 할 것이다”라고 강조했습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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