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삼성전자, 평택 EUV 파운드리 생산라인 구축...내년 본격 가동

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Thursday, May 21, 2020, 11:05:00

5나노 이하 주력 생산..‘반도체 비전 2030’ 달성 위한 세부 전략

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ‘반도체 비전 2030’으로 시스템 반도체 업계 1위를 노리는 삼성전자가 극자외선(EUV) 장비를 적용한 시스템반도체 파운드리(반도체 위탁생산) 초미세공정 확대에 나섭니다.

 

삼성전자는 21일 “EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다”고 밝혔습니다. 지난 2월 EUV 전용 화성 ‘V1’ 가동에 이어 평택에도 파운드리 라인을 지어 초미세 공정 적용 범위를 늘리는 셈입니다.

 

이번 투자는 지난해 4월 발표한 반도체 비전 2030 관련 후속 조치의 일환입니다. 오는 2030년까지 12년간 총 투자액은 133조 원 규모입니다. 삼성전자는 “시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다”고 했습니다.

 

 

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했습니다. 내년 하반기 가동할 계획입니다. 지난해에는 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 바 있으며 올해 V1라인까지 범위를 지속 확대하고 있습니다.

 

여기에 오는 2021년 평택 라인이 가동하면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품 생산 규모는 더욱 증가할 전망입니다. 또한 삼성전자는 올해 하반기 화성에서 5나노 제품을 양산하고 평택 파운드리 라인에서도 주력으로 생산할 계획입니다.

 

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극적으로 대응해 나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 말했습니다.

 

삼성전자는 “글로벌 파운드리 시장은 5세대(5G) 이동통신, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심 성장이 예상된다”며 “프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략”이라고 했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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