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구형 싼타페·카니발·쏘렌토 ‘제동결함’...30만여 대 대규모 리콜

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Friday, May 22, 2020, 10:05:09

BMW 520d 등 24만여 대는 선제적 예방 조치로 EGR 점검
벤츠·지프·아우디 포함 총 54만여 대..일부 업체 과징금 부과

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대자동차의 2세대 싼타페(CM) 18만여 대가 제동장치 결함으로 대규모 리콜에 들어갑니다. 싼타페CM과 같은 시기 생산됐던 카니발·쏘렌토 11만여 대도 동일한 리콜을 받게 됐는데요. 또 BMW 24만여 대는 개선된 EGR(배기가스재순환장치) 쿨러에 문제가 있을 경우 교체를 받아야 합니다.

 

국토교통부는 현대·기아차, BMW, 메르세데스-벤츠, 지프, 아우디 등 총 126개 차종 54만 9931대의 결함을 시정조치(리콜)한다고 22일 밝혔습니다. 이 가운데 현대·기아차 모델은 30만 여 대에 달하고, BMW도 520d 등 79개 차종이 리콜 목록에 올랐습니다.

 

먼저, 현대·기아차의 싼타페CM(18만 1124대), 카니발VQ(7만 9001대), 쏘렌토BL(3만 4497대) 등 3개 차종 29만 4622대는 ABS/ESC 모듈에 오일 또는 수분 등이 유입돼 내부합선으로 인한 화재 발생 가능성이 있습니다.

 

이 차량들은 지난 2005년부터 2009년 사이에 생산된 노후차량들인데요. 5월 25일부터 공식 서비스센터에서 무상으로 수리(전원공급 제어 스위치 장착)를 받을 수 있습니다.

 

 

이와 더불어 그랜드카니발(VQ) 757대는 연료 공급 파이프 제조 불량에 따른 연료 누유로 화재 발생 가능성이 확인됐습니다. 또 제네시스 쿠페(BK) 55대는 운전석 에어백 모듈 고정 볼트 조임 부족에 따른 에어백 모듈 이탈 가능성이 있습니다.

 

BMW코리아의 520d 등 79개 차종 24만 1921대는 선제적 예방 차원에서 EGR 쿨러 점검 후 필요시 교체됩니다. 화재결함 사태 이후 개선된 EGR 쿨러 중 일부 쿨러에서 균열 사례가 확인됐기 때문인데요. 리콜 대상 차량이 많아 올해 10월까지 점검이 이어집니다.

 

 

메르세데스-벤츠코리아의 E280 등 36개 차종 1만 1480대는 선루프 유리 패널의 접착 불량으로 떨어질 가능성이 있습니다. AMG GT 63 4MATIC+ 등 2개 차종 3대는 실내 센터콘솔이 안전기준에 부적합한 것으로 확인돼 과징금도 부과됩니다.

 

FCA코리아가 판매한 지프 컴패스 557대는 전방 와이퍼 암 고정 너트 조임이 부족해 안전기준을 충족하지 못했습니다. 이 차량들은 지난해 5월부터 올해 2월까지 생산된 비교적 신형 모델인데요. 국토부는 우선 리콜을 진행한 뒤 과징금을 부과할 계획입니다.

 

아우디 A3 40 TFSI 306대는 타이어공기압경고장치가 안전기준에 부적합한 것으로 확인됐는데요. 메르세데스-벤츠, 지프 등 다른 수입차 업체와 마찬가지로 과징금을 떠안게 됐습니다.

 

 

끝으로 킴코 RACING S 150 이륜차종 180대는 USB 충전장치의 결함으로 2암페어 이상의 전류를 장시간 사용할 경우 USB 기판이 과열돼 불이 붙을 수 있습니다.

 

한편, 이번 리콜과 관련해 해당 제작사에서는 자동차 소유자에게 우편 및 휴대전화 문자로 시정방법 등을 알리게 됩니다. 결함시정 전에 자동차 소유자가 결함내용을 자비로 수리한 경우에는 제작사에 수리한 비용에 대한 보상을 신청할 수 있습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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