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[스타터 UP] 은행권청년창업재단 디캠프D.CAMP

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Wednesday, May 27, 2020, 14:05:59

D.CAMP / Banks Foundation for young entrepreneurs

https://dcamp.kr/
Tel. 02-2030-9300
E-Mail. contact@dcamp.kr

 


디캠프 D.CAMP

 

서울특별시 강남구 선릉로 551 새롬빌딩 2층 디캠프 / 2F, 551, Seolleung-ro, Gangnam-gu, Seoul, Republic of Korea

 


▷ 재단소개

 

은행권청년창업재단은 청년세대 창업지원을 통한 일자리 창출에 기여하고자 전국은행연합회 사원기관 18개 금융기관(출연 당시 20개)이 총 5,000억원을 출연하여 2012년 5월 30일에 설립한 국내 최대 규모의 창업재단입니다.

 

은행권청년창업재단은 2013년 3월 대한민국 최초의 복합 창업 생태계 허브인 "디캠프(D.CAMP)"를 설립하여 현재까지 운영하고 있습니다. 디캠프는 '투자', '공간', '네트워크'라는 창업 생태계의 3대 요소를 유기적으로 연결하여 다양한 창업 생태계 지원 활동을 수행합니다.

 

앞으로도 은행권청년창업재단은 창업지원과 관련된 다양한 투자와 활동을 통해 스타트업의 육성과 창업 생태계 발전을 위한 최선의 노력을 다해나가겠습니다.

 

▷ 설립 목적

 

스타트업 육성과 창업 저변 확대를 위해
'투자', '공간', '네트워크'라는
창업 생태계 3대 요소를 유기적으로 연결하여
선순환을 유도하고 지속가능한
창업 생태계를 만들어갑니다.

 

▷ 주요 사업

 

 

 

 

  • 초기 스타트업 직·간접 투자

스타트업의 성장을 위한 직·간접 투자를 수행합니다. 디데이와 게임오브디캠프로 선발한 스타트업에 대한 직접 투자와 함께 성장사다리 펀드 출연, 분야별 창업 지원 펀드 조성, 벤처캐피탈과의 전략적 제휴와 출자 등 다양한 간접투자 프로그램 또한 함께 운용하며 스타트업 생태계 조성을 위해 노력합니다.

 

  • 온·오프라인 플랫폼 운영

스타트업이 필요로 하는 다양한 공간과 인프라를 제공합니다. 업무공간, 회의실, 휴게공간, 다목적·컨퍼런스홀, 네트워킹 라운지 등으로 구성된 선릉센터와 입주팀의 집중 근무를 위한 인큐베이팅 공간 개포센터, 그리고 스타트업 선발·심사, 멤버십 가입, 공간 예약 등을 위한 온라인 홈페이지를 운영합니다.

 

  • 공식 프로그램 및 글로벌 교류·협력

스타트업의 성장을 돕고 우리나라 창업 생태계의 저변 확대를 위해 디캠프가 직접 기획하고 실행하는 다양한 공식 프로그램을 운영합니다. 또한 교육기관/연구소, 대기업/글로벌기업, 지원기관/정부 등 여러 분야의 기관들과 파트너십을 맺고 스타트업의 성장과 해외 진출을 위한 교류 활동을 추진합니다.

 

▷ 연혁

 

2019• 3월 문재인 대통령 방문(제2차벤처붐 확산 전략 선포식)
2018• 8월 오스트리아 지식경제부장관과 MOU 체결
• 5월 재단 창립 6주년 기념 행사 (금융위원회 위원장 참석)
2015• 11월 프랑스 올랑드 대통령 및 3개 부처 장관 방문
• 11월 액셀러레이터 통합 데모데이 최우수상 수상
2014• 11월 2014 창조경제대상 미래창조과학부 장관상 수상
• 3월 대만 폭스콘 그룹 궈타이밍 회장 방문 및 MOU 체결
• 11월 제9회 대한민국 인터넷대상 대통령상 수상
2013• 3월 디캠프 개관 (선릉 센터)
2012• 5월 은행권청년창업재단 설립

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편집국 기자 info@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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