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더블역세권 오피스텔 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’, 5일 견본주택 오픈

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Monday, June 01, 2020, 10:06:51

홈페이지서 방문 예약 받아..분양 접수는 다음주 10~11일

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ 화서역 인근 대유평지구에 들어서는 더블역세권 주상복합 단지 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’이 이번주에 견본주택을 열고 다음주 예정된 오피스텔 분양을 준비합니다.

 

대우건설은 오는 5일 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’ 오피스텔의 견본주택을 개관하고 분양에 들어갑니다.

 

견본주택 방문은 사전예약자에 한하여 진행되며, 예약은 2일부터 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’의 홈페이지에 접수하면 됩니다. 예약자가 아닌 경우에는 홈페이지에 상시 열려 있는 사이버 견본주택을 통해 확인 할 수 있습니다.

 

경기 수원시 장안구 정자동 111번지 일대(대유평지구 2블록)에 조성되는 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’은 총 1125가구 규모의 주상복합 단지입니다. 분양가는 5억 중반으로 입주예정일은 2023년 9월입니다.

 

단지는 지하3층~지상 41층, 아파트 3개동 665세대와 오피스텔 2개동 460실로 구성됩니다. 이중 이번 오피스텔 분양분은 ▲84OA㎡ 233실 ▲84OA-1㎡ 114실 ▲84OB㎡ 39실 ▲84OC㎡ 74실입니다.

 

오피스텔 분양 접수는 오는 10~11일 한국감정원 청약Home에서 진행됩니다. 청약신청금 300만원으로 접수할 수 있으며 청약통장 가입여부는 무관합니다.

 

한편 ‘화서역 푸르지오 브리시엘’의 아파트 분양은 ▲오늘(1일) 특별공급 ▲2일 1순위(당해지역) ▲3일 1순위(기타지역) ▲4일 2순위 순으로 청약접수가 진행됩니다.

 

수원 서부지역 새로운 중심지에 들어서는 주거형 오피스텔

 

 

‘화서역 푸르지오 브리시엘’은 전타입의 전용면적이 84㎡인 주거용 오피스텔로, 아파트와 동일한 설계가 적용된 게 특징입니다.

 

세대에는 공간활용도가 우수한 4Bay와 조망권이 좋은 거실 2면 개방형 등 아파트급 평면이 적용됐습니다. 대부분 판상형 구조이고 3개 실과 2개 욕실, 주방, 거실로 구성됐습니다.

 

‘화서역 푸르지오 브리시엘’은 지하철 1호선과 신분당선(예정) 더블역세권인 화서역을 도보로 이용할 수 있는 거리에 조성됩니다. KTX와 분당선을 이용할 수 있는 수원역과 서수원시외버스터미널 등 대중교통망도 있습니다.

 

도로망은 단지 앞 덕영대로가 과천-봉담도시고속화도로, 수원광명고속도로와 연결돼 있습니다.

 

이외에도 수인선(수원-인천) 수원역이 오는 8월 개통예정이며, 강남과 양주신도시를 연결하는 GTX-C노선도 내년 착공 예정입니다.

 

교육시설은 단지 앞에 송림초와 송림초병설유치원, 명인중, 장안고 등이 있고, 수원 대표 명문학군인 정자동 학원가와 가깝습니다. 성균관대학교, 경기대학교, 아주대학교 등이 인근에 있습니다.

 

단지를 둘러싼 도시공원 옆에는 대형 상업시설이 예정됐고, 롯데백화점, 롯데마트, AK플라자 등이 인근에 있습니다. 의료시설은 단지 옆의 경기도의료원수원병원과 아주대학교병원, 가톨릭대학교 성빈센트병원 등이 있습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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