검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Electronics 전기/전자

전경련 “정부 지원으로 반도체시장 지각변동 대응해야”

URL복사

Monday, June 15, 2020, 16:06:06

10년간 반도체 시장 지표 분석..선두 미국·약진하는 중국 사이에서 경쟁력 정체
미·중 정부 반도체 보조금 및 지원 규모 확대..“시장 입지 지키려면 정부 뒷받침 필요”

인더뉴스 이진솔 기자 | 전국경제인연합회(이하 전경련)가 “미국과 중국이 반도체를 두고 패권싸움을 벌이는 가운데 한국 반도체가 선두 미국과 점유율 격차는 좁히지 못하면서도 막대한 정부지원을 등에 업은 중국에 위협받고 있다”며 “시장 입지를 지키려면 정부 지원이 필요하다”고 주장했습니다.

 

15일 전국경제인연합회는 지난 10년간 전 세계 반도체 시장 관련 지표를 분석한 결과를 토대로 이같이 밝혔습니다.

 

전경련은 “분석결과는 절대적 선두에 선 미국, 약진하는 중국, 선방한 한국과 하락세를 탄 일본으로 정리된다”고 설명했습니다. 연도별 전 세계 반도체 시장점유율을 살펴보면 미국은 지난 10년간 45% 이상을 유지했습니다. 중국은 2% 미만이던 점유율이 지난해 5%로 증가했습니다.

 

 

한국은 2010년 14%에서 2018년 24%로 점유율이 증가했지만 지난해 19%로 전년 대비 약 21% 감소했습니다. 유럽과 대만은 점유율이 9년째 정체를 보였고 일본은 2011년 20%에서 지난해 10%까지 떨어지며 감소 폭이 컸습니다. 10년간 세계 반도체 시장 평균점유율은 미국 49%, 한국 18%, 일본 13%, 유럽 9%, 대만 6%, 중국 4% 미만인 것으로 나타났습니다.

 

반도체분야 국제학회(국제고체회로학회)가 매해 발표하는 채택논문 건수 또한 세계 반도체 시장점유율 통계와 비슷한 양상을 보였습니다. 미국이 우위를 유지하고 있는 가운데 동북아 4국이 뒤를 이었습니다. 특히 중국은 2011년 4건이던 논문 건수가 올해 23건으로 5배 이상 증가했습니다.

 

전경련에 따르면 중국과 한국 시스템 반도체 기술격차는 지난 2017년 기준 0.6년에 불과한 것으로 나타났습니다. 한편 한미 간 시스템 부문 기술 격차는 2013년 1.9년, 2015년 1.6년, 2017년 1.8년으로 답보상태인 것으로 조사됐습니다.

 

전경련은 중국이 부상한 배경으로 ‘반도체 굴기’ 계획 등 중앙정부가 추진한 지원이 뒷받침된 결과라고 분석했습니다. 전경련이 OECD(경제협력개발기구)로부터 받은 통계에 의하면 2014년부터 2018년까지 주요 21개 글로벌 반도체기업 중 매출 대비 정부지원금 비중이 가장 높았던 상위 5개 기업 중 3개가 모두 중국기업이었습니다.

 

가장 비율이 높은 SMIC(중신궈지)는 매출 대비 6.6%를 정부로부터 지원받았습니다. 화홍(5%), 칭화유니그룹(4%)이 뒤를 이었습니다. 스위스(ST), 네덜란드(NXP) 국적 기업도 정부 지원 비중이 높았습니다.

 

전경련은 “눈여겨볼 점은 이미 세계 시장 선두에 있는 미국 또한 주요 반도체기업에 세제혜택과 연구개발(R&D) 명목으로 상당한 지원을 제공하고 있다는 것”이라고 강조했습니다. 미국 반도체 기업 매출 대비 정부지원금 비중은 마이크론 3.8%, 퀄컴 3%, 인텔 2.2% 등이었습니다. 반면 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 0.8%, 0.6%를 기록했습니다.

 

 

중국 반도체 기업들은 지난 2015년 이후 전 세계 반도체 시장에서 해외기업 인수합병(M&A)에 적극적인 모습을 보였습니다. OECD가 발표한 ‘M&A를 통해 반도체 해외기업을 인수한 기업(Buyer) 통계’에 따르면 2014년까지만 해도 누적 인수기업이 4개에 그쳤던 중국은 이듬해부터 2018년까지 29개 기업이 외국 반도체기업 M&A에 나섰습니다.

 

이에 따라 2012부터 2014년까지 100억 달러(12조 원) 내외였던 세계 반도체 M&A시장 총 거래액은 2016년 596억 달러(72조 원)까지 치솟았습니다. OECD는 보고서를 통해 중국기업이 M&A를 추진한 동력은 2014년 마련된 중국 ‘국가집적회로산업투자기금’이라고 봤습니다.

 

전경련은 이미 중국 보조금으로 반도체시장 지형이 변화하고 있는 가운데 최근 미·중 반도체 패권전쟁이 심화하며 중국 반도체 굴기 170조 원에 대응한 미국 정부 지원규모도 확대될 것으로 예상했습니다.

 

미국은 TSMC 공장 유치에 이어 의회에서 반도체 연구를 포함해 첨단산업 지출을 1000억 달러(120조 원) 이상 확대하는 법안을 준비 중인 것으로 알려졌습니다. 지난 2월 백악관은 반도체 R&D 지원을 위한 관계부처 합동 워킹그룹도 발족한 바 있습니다.

 

김봉만 전경련 국제협력실장은 “중국이 5년 전부터 반도체 굴기를 위해 국가재원을 투입해온 상황에서 미국조차도 반도체 산업 육성을 위해 연방정부 차원에서 지원 노력을 아끼지 않고 있는 것이 놀랍다”며 “반도체를 둘러싼 경쟁이 그 어느 때보다도 치열할 것”으로 예상했습니다.

 

이어 “그동안 우리 반도체가 지금 같은 세계적 입지를 갖기까지 기업이 홀로 선방해온 측면이 있다”며 “최근 미·중 간 기술패권 경쟁에 더해 일본 수출규제까지 여러 악재가 계속되고 있어 입지 수성을 위해 우리도 R&D, 세제혜택 지원 등 정책적 뒷받침을 마련할 필요가 있다”고 했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


배너


배너