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이재용 부회장, 사장단과 릴레이 간담회...반도체·무선사업 위기 전략 논의

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Monday, June 15, 2020, 17:06:06

경영진과 글로벌 반도체 시황과 투자 전략 논의

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 반도체와 스마트폰 위기 극복 전략을 위한 사장단 회의를 열었습니다. 지난주 구속영장 기각 후 첫 행보입니다.

 

이 부회장은 지난 3월 삼성종합기술원을 찾아 사장단과 함께 차세대 기술점검에 나선 바 있습니다. 그 날 이후 80여일 만에 사장단과 만나 전략 회의를 연 것입니다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 15일 반도체(DS부문)와 제품(SET부문) 사장단과 릴레이 간담회를 갖고 위기 극복 전략을 점검했습니다.

 

삼성전자에 따르면 이날 오전 이 부회장은 김기남 삼성전자 부회장, 진교영 메모리사업부장 사장, 정은승 파운드리사업부장 사장, 강인엽 시스템LSI 사업부장 사장, 박학규 DS부문 경영지원실장 사장 등 DS부문 경영진과 만나 글로벌 반도체 시황과 투자 전략을 논의했습니다.

 

이 부회장은 오찬 이후에 파운드리 전략 간담회를 연속으로 주재했는데요. 파운드리 간담회에서 글로벌 시황과 무역 분쟁이 시장에 미치는 영향, 선단공정 개발 로드맵(5나노, GAA 등) 등을 점검했습니다.

 

바로 이어 이 부회장은 무선사업부 경영진과 만났습니다. 삼성전자에 따르면 이 부회장은 무선사업부 상반기 실적에 대한 점검과 하반기 판매 확대 방안에 대해 논의했습니다. 더불어 내년 플래그십 라인업 운영 전략을 점검했습니다.

 

이 자리에는 노태문 삼성전자 무선사업부장 사장, 최윤호 경영지원실장 사장, 최경식 무선사업부 전략마케팅실장 부사장, 김경준 무선사업부 개발실장 부사장, 김성진 무선사업부 지원팀장 부사장 등이 참석했습니다.

 

이 부회장은 코로나19, 미중 무역분쟁 등 악재 속에서도 대규모 사업 투자와 혁신 전략을 지속적으로 강조하고 있습니다.

 

사업장도 꾸준히 방문하고 있습니다. 지난달 평택사업장에 초미세 극자외선(EUV) 파운드리 생산라인 증설 현장에서 이 부회장은 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 말했습니다.

 

이 부회장은 중국 시안 반도체사업장을 찾아 “새 성장 동력을 만들기 위해서 거대한 변화에 선제 대비해야 한다”면서 “시간이 없다. 때를 놓쳐서는 안 된다”고 혁신 의지를 강조했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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