검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Bank 은행

신한금융 “新디지털금융 선도한다”...‘Digilog’사업 본격화

URL복사

Monday, June 22, 2020, 15:06:42

조용병 회장 중심의 컨트롤 타워 ‘Digilog 위원회’ 출범
‘디지털 핵심기술후견인제도’ 6개→10개 그룹사로 확대

 

인더뉴스 전건욱 기자ㅣ신한금융그룹(회장 조용병)이 ‘新 디지털금융’ 선도를 위한 ‘Digilog’사업을 본격 추진합니다. 이달 초에 발표한 ‘신한 N.E.O. Project’의 3대 핵심 방향 중 하나입니다.

 

신한금융은 지난 8일 포스트 코로나시대 국가 경제 新성장 동력 발굴을 지원하기 위한 신한 N.E.O. Project’를 발표했습니다. 이어 17일 열린 그룹경영회의에서 디지털 금융 선도를 위한 Digilog 4대 핵심 구동체 구축 사업 추진을 심의했습니다.

 

먼저 정부의 디지털 뉴딜 정책에 맞춰 그룹의 주요 디지털 사업 아젠다를 논의하고 실행을 지원하기 위해 ‘Digilog 위원회’를 신설키로 했습니다. 조용병 회장을 위원장으로 7개 그룹사 CEO(신한은행, 카드, 금투, 생명, 오렌지, DS, AI)들이 위원으로 참여합니다.

 

이어 ‘디지털 핵심기술 후견인제도’에 참여하는 그룹사를 기존 6개에서 10개로 확대합니다. 이 제도는 AI, 빅데이터, 클라우드, 블록체인, 헬스케어 등 5개 핵심기술과 新사업 분야의 선택과 집중을 위한 그룹 디지털 리더십의 핵심입니다.

 

올해 3월부터 신한은행, 카드, 금투, 생명, 오렌지라이프, DS 총 6개 그룹사가 후견·참여 그룹사로 함께 운영하고 있습니다. 이번에 신한캐피탈, 제주은행, 아이타스, AI 등 4개사가 더해집니다.

 

셋째, 그룹 공동의 ‘디지털 교육체계’를 구축해 인재 육성 체계를 고도화하기로 했습니다. 이를 위해 다음 달 말까지 관련 로드맵을 수립하고, 8월부터는 ▲디지털 인재상 수립 ▲디지털 교육 커리큘럼 수립 ▲디지털 수준 진단·평가 등 관련 실무 작업을 진행할 예정입니다.

 

마지막으로 미래 신성장 기술을 확보하고 빅테크 혁신 기술에 대응하기 위해 신한금융의 디지털 기술 창고이자 그룹의 통합 R&D 센터인 ‘SDII(Shinhan Digital Innovation Institute)’를 확대 운영합니다.

 

SDII의 행정과 운영 지원을 전담하는 SDII 사무국을 신설하고 디지털 신기술 프로젝트 계획을 위한 전문인력 채용을 확대할 계획입니다.

 

신한금융 관계자는 “전 그룹사와의 공감대 형성을 위해 진행된 5차례 ‘Digilog 토론회’에서 논의된 결과를 토대로 DT추진을 위한 구동체계를 수립했다”며 “Digilog사업 추진을 통해 하반기에는 고객에게 보다 차별화된 가치를 제공하고, 시장에 파급력 있는 혁신적인 상품·서비스를 본격적으로 선보일 것”이라고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

전건욱 기자 gun@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너