검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업

‘불기소 권고’에 한 숨 돌린 삼성 ...“수사심의위 결정 존중”

URL복사

Friday, June 26, 2020, 21:06:23

대검 수사심의위 불기소 권고..삼성 변호인단 “이 부회장 기업활동 전념해 위기 극복 기회 감사”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ대검찰청 수사심의위원회가 이재용 삼성전자 부회장의 불법 승계 의혹에 대해 검찰의 불기소를 권고한 가운데, 이 부회장의 광폭 경영행보가 다시 이어질 것으로 보입니다.

 

26일 오전 10시 30분부터 7시간 넘게 진행된 수사심의위는 “검찰이 이 부회장을 불기소하고, 수사도 중단해야 한다”고 의견을 모았습니다.

 

하루 종일 긴장했던 삼성 측은 이번 수사심의위 결과가 나오자 변호인단을 통해 입장을 내놨는데요. 삼성 변호인단은 “검찰수사심의위원회 위원님들의 결정을 존중한다”며 “삼성과 이재용 부회장에게 기업활동에 전념해 현재의 위기 상황을 극복할 기회를 주신데 대해 감사의 말씀을 드린다”고 말했습니다.

 

이 부회장은 자택에 머물며 수사심의위 결과를 기다린 것으로 전해졌습니다. 수사심의위에서 이 부회장의 측에 유리한 불기소 권고가 나오면서 향후 적극적인 경영행보를 보일 것이란 전망입니다.

 

이 부회장은 수사심의위가 열리기 전 반도체, 무선, 생활가전 사업부 사장단과 연이은 간담회를 주재했는데요. 사장단과 세 차례 만나 글로벌 시황과 투자 전략을 논의하는 등 활발한 행보를 보였습니다.

 

코로나19 이후 현장을 방문해 임직원들과 접촉을 늘려갔는데요. 지난 19일 수원 반도체 연구소를, 23일에는 생활가전사업부를 방문해 전략회의 주재와 직원들을 직접 만나 격려했습니다.

 

이 부회장은 코로나19, 미중 무역분쟁 등 악재 속에서도 대규모 사업 투자와 혁신 전략을 지속적으로 강조하고 있습니다. 이 부회장은 “위기일수록 미래 투자를 멈춰선 안 된다”, “시간이 없다, 때를 놓치면 안 된다”며 정면 돌파를 강조한 바 있습니다.

 

삼성은 미래 사업을 위한 대규모 투자 전략에 박차를 가할 것으로 보입니다. 삼성전자는 반도체와 디스플레이에 대규모 투자를 계획하고 있는데요. 특히 삼성은 메모리에 이어 비메모리 세계 1위 탈환을 목표로 두고, 오는 2023년까지 133조원을 쏟을 예정입니다.

 

퀀텀닷 디스플레이 생산라인에는 2025년까지 13조원을, 인공지능과 5세대(5G), 바이오, 전장부품 등에 대한 대규모 투자 계획도 밝힌 바 있습니다. 이재용 부회장은 “가혹한 위기 상황이다”며 “미래 기술을 얼마나 빨리 우리 것으로 만드느냐에 생존이 달려있다. 시간이 없다”고 말했습니다.

 

한편, 삼성은 향후 검찰의 입장에 따른 수사와 재판 대비에 나설 전망입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너