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이재용 부회장, ‘불기소 권고’ 후 현장경영 재개...“멈추면 미래 없다”

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Tuesday, June 30, 2020, 15:06:30

반도체 장비사업 점검차 자회사 세메스 방문..중장기 전략회의 진행

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장이 일주일 만에 현장경영을 재개했습니다. 지난 26일 대검 수사심의위원회에서 검찰의 불기소 권고를 내린지 닷새 만에 사업장을 찾아 전략을 논의했습니다.

 

당시 이 부회장은 자택에 머물며 수사심의위 결론을 기다린 것으로 전해졌습니다. 이 부회장은 조용한 주말을 보낸 뒤 6월 마지막 날도 광폭 경영행보를 이어갔습니다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 30일 삼성전자의 반도체부문 자회사인 세메스(SEMES) 천안사업장을 찾아 반도체·디스플레이 제조장비 생산 공장을 둘러보고 중장기 사업 전략을 점검했습니다.

 

세메스는 1993년 삼성전자가 설립한 반도체·디스플레이 제조용 설비제작 전문 기업입니다. 경기 화성과 충남 천안 등 국내 두 곳의 사업장에 2000여명의 직원이 근무하고 있으며, 미국 오스틴과 중국 시안에도 해외 법인을 운영하고 있습니다.

 

이 부회장은 이날 경영진과 ▲반도체·디스플레이 제조장비 산업 동향 ▲설비 경쟁력 강화 방안 ▲중장기 사업 전략 등을 논의한 후, 제조장비 생산공장을 살펴보고 임직원들을 격려했습니다.

 

 

이날 현장에는 김기남 삼성전자 부회장, 이동훈 삼성디스플레이 사장, 박학규 DS부문 경영지원실장 사장, 강호규 반도체연구소장, 강창진 세메스 대표이사 등 삼성의 부품·장비 사업을 책임지고 있는 경영진이 동행했습니다.

 

이재용 부회장은 “불확실성의 끝을 알 수 없어 갈 길이 멀다”며 “지치면 안된다. 멈추면 미래가 없다”고 말했습니다.

 

이 부회장의 이번 행보는 그동안 국내 반도체·디스플레이 산업의 약점으로 지적됐던 소재·부품·장비 분야를 육성해 국내 산업 생태계를 더욱 굳건히 하기 위한 것입니다.

 

앞서 삼성 디스플레이는 작년 퀀텀닷 디스플레이 투자계획(2025년까지 13조 1000억원)을 발표하면서 세메스 등 국내 업체들과 파트너십을 확대한다는 계획을 밝힌 바 있습니다. 이들은 잉크젯 프린팅 설비, 신규 재료 개발 등 퀀텀닷 디스플레이 양산기술 확보를 위해 협업하고 있습니다.

 

이 부회장은 소재·부품·장비 수급 불확실성이 급격히 커진 지난해 7월 일본으로 직접 출장을 다녀온 직후, 긴급 사장단 회의를 소집해 단기 대책 및 중장기 대응 전략을 논의한 바 있습니다.

 

이 부회장은 당시 “흔들리지 않고 시장을 이끌어 갈 수 있도록 역량을 키우자”고 강조하며, 사장단에게 컨틴전시 플랜을 마련해 시나리오 경영에 나설 것을 당부했습니다.

 

한편, 이 부회장은 지난 15일 삼성전자 반도체 및 무선통신 사장단과 연달아 간담회를 가진 이후, 19일에는 반도체 연구소, 23일에는 생활가전사업부를 찾아 중장기 전략을 논의하는 등 위기 극복 및 미래 준비를 위한 활동을 이어가고 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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