검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Stock 증권

[iN THE IPO] 2차전지 장비株 에이프로 “미래 에너지 솔루션 기업으로 도약”

URL복사

Friday, July 03, 2020, 14:07:53

2차전지 시장 확대 따른 수혜 기대
오는 16일 코스닥 상장 예정
공모예정가 1만 9000원~2만 1600원

인더뉴스 김현우 기자ㅣ “2차전지 핵심인 활성화 공정 설비 전체를 아우르는 제품 포트폴리오를 구축한 상태에서 전방 산업 성장에 따른 수혜가 기대됩니다. 이를 바탕으로 미래 에너지 솔루션 기업으로 도약하는데 만전을 다하겠습니다.”

 

임종현 에이프로 대표는 3일 여의도에서 주요 임직원이 참여한 가운데 기업공개(IPO) 기자간담회를 개최하고 이 같이 밝혔다.

 

2000년 설립된 에이프로는 2차전지의 핵심인 활성화 공정 설비 제조에 주력하고 있는 기업이다. 활성화 공정은 조립공정을 마친 전지에 미세한 전기를 줘 양극과 음극이 전기적 특성을 가질 수 있도록 충·방전하는 공정으로, 2차전지는 활성화 공정을 거쳐야 성능이 결정되고 제품으로서 기능이 가능하다고 볼 수 있다.

 

에이프로는 전력변환과 회로 기술을 기반으로 충방전 장비부터 각종 검사 장비에 이르기까지 2차전지 활성화 공정 전체를 아우르는 제품 포트폴리오를 보유하고 있다. 핵심 제품인 고온가압 충방전기는 2차전지 배터리에 고온과 압력을 더해 충방전 효율을 극대화한 제품으로, 국내 최초로 개발 및 양산라인에 적용되고 있다.

 

임 대표는 “2차전지 시장은 전기차 영역 확대 등 폭발적인 성장이 기대된다”며 “국내에서 유일하게 2차전지 활성화 공정 전체의 턴키(Turn·key)방식 제작이 가능한 에이프로의 가치는 더욱 중요시되고 있다”고 말했다.

 

이어 “주요 고객사의 시장 점유율 확대로 외형성장이 가파르게 진행되고 있고 중국, 폴란드 등 해외 법인을 통해 고객 맞춤형 대응이 가능하다는 것도 에이프로의 강점”이라고 덧붙였다.

 

에이프로는 지난해 매출액 674억원을 기록하는 등 최근 3개년 연평균 73.8% 매출 성장률을 이어가고 있다. 특히 영업익은 100억원을 넘었고 2018년 대비 44.2% 상승률을 기록했다.

 

회사는 전력변환과 제어기술을 기반으로 차세대 전력반도체 소자 개발과 배터리 재활용 사업 등 미래 에너지 솔루션 기업으로 성장을 위한 신사업 추진에도 박차를 가하고 있다. 세계적 환경규제 강화에 따라 글로벌 에너지 활용의 중심이 친환경으로 이동하는 추세에 맞춰 기업의 미래 성장에 긍정적 작용을 할 것으로 전망된다.

 

한편 에이프로의 공모 예정가는 1만 9000원~2만 1600원으로 공모 주식수는 136만 7917주, 공모금액은 공모가 하단기준 260억원 규모다. 금일까지 수요예측을 거쳐 다음주 8일과 9일 공모청약을 받은 후, 오는 16일 코스닥 시장에 상장할 예정이다.

 

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


배너


배너