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예천동 브랜드 아파트 ‘서산 푸르지오 더 센트럴’ 7월 분양

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Monday, July 06, 2020, 09:07:26

총 861가구 대단지..녹지 넓은 공원형 아파트

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ대우건설은 7월 중 충남 서산시 예천동 480-1번지 일원에 ‘서산 푸르지오 더 센트럴’을 분양한다고 6일 알렸습니다. 예천동에 대형 건설사 브랜드 아파트가 공급되는 건 6년 만입니다.

 

‘서산 푸르지오 더 센트럴’은 지하 2층~지상 최고 25층, 10개 동, 전용면적 69~99㎡, 총 861가구 규모로 조성됩니다. 주택형별 공급 물량은 ▲69㎡ 240세대 ▲84㎡A 353세대 ▲84㎡ B 141세대 ▲99㎡ 127세대입니다.

 

단지는 전 가구가 채광과 통풍에 유리한 남향위주 및 판상형 위주로 배치했고 동간 거리는 넓혔습니다. 공간 활용도가 우수한 4Bay와 수납공간을 특화한 3bay 등 푸르지오의 특화설계도 적용됩니다.

 

단지는 공원형 아파트로 꾸며 단지 조경면적을 법정기준보다 2배 넓고 34.56%로 확보했고 중앙광장, 산책로, 어린이 놀이터 등 다양한 야외시설을 마련합니다. 커뮤니티 시설은 독서실, 도서관, 휘트니스, 골프연습장, 스터디룸, GX-room 샤워실, 게스트룸 등이 설치됩니다.

 

단지는 예천사거리에 위치해 서산 도심과 이어지는 서해로, 고운로, 중의로가 단지 앞에 있습니다. 이외에 32번 국도와 29번 국도, 도서간선도로(신설), 서해안고속도로 서산 IC, 해미IC를 이용할 수 있습니다. 서산공용버스터미널도 단지 인근에 위치합니다.

 

상업시설은 롯데마트, 하나로마트와 인접하고 중앙호수공원 인근의 상업시설이 도보거리에 있습니다. 서산시청과 대전지방법원, 서산보건소, 소방서, 경찰청 등 관공서와 가깝고 문화시설은 CGV서산, 해든아트홀 등이 있습니다.

 

교육시설은 단지 바로 옆에 서남초와 서남초병설유치원이 있고 예천초와 서산중, 서산여중·여고, 석림중, 서산중앙고 등 초·중·고교가 인접해 있습니다.

 

서산의 명소인 중앙호수공원이 인접해 주거환경도 쾌적하다. 음악분수와 원형광장, 산책로, 어린이놀이터 등 각종 문화·운동시설을 갖춰져 있는 중앙호수공원(7만1841㎡규모)을 편리하게 도보 이용 가능하다.

 

아울러 대형 개발호재가 있습니다. 서산에 대산석유화학단지와 서산바이오웰빙특구, 서산오토밸리, 서산테크노밸리 등 대규모 산업단지가 10여 개 조성됐거나 계획돼 있습니다.

 

최근에는 현대오일뱅크가 서산시 대산 첨단화학단지 공장 신설을 위해 2조8900억원을 투자하기로 결정했습니다. 1000여명의 고용과 연간 1조5000억원 규모의 생산 효과, 2400억원의 부가가치 창출 효과가 기대되는 대목입니다.

 

대우건설 분양관계자는 “서산의 대표 주거지인 예천동에서 6년만에 공급되는 대형사 브랜드 아파트로 수요자들의 관심이 뜨겁다”며 “단지 옆 서남초, 중앙호수공원 인접 등 예천동 노른자위에 위치한 만큼 푸르지오 만의 차별화된 랜드마크 상품을 선보일 예정이다”라고 말했습니다.

 

‘서산 푸르지오 더 센트럴’의 견본주택은 충남 서산시 예천동 469번지(서남초교 옆)에 마련됩니다. 입주는 2022년 하반기로 예정됐습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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