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“中 증시 급등, 상반기 거시 유동성·수급 환경 영향”-하나

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Tuesday, July 07, 2020, 08:07:14

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 7일 하나금융투자는 전날 중국 증시 급등 배경 중 하나로 상반기 거시 유동성과 수급(개인·외인) 환경을 꼽았다.

 

김경환 하나금융투자 연구원은 “상해증시가 3300선을 돌파했다”며 “최근 2주간 상해증시와 홍콩H지수와 같은 소외된 대형지주(금융·시클리컬)의 급등은 당초 예상보다 빠르고 강한 것”이라고 평가했다.

 

김 연구원은 “배경을 놓고 보면 언제 급등해도 이상하지 않았다”며 “우선 상반기 거시 유동성과 수급 환경은 낙수효과를 충분히 기대할 수 있었고 코로나 이전 포함 3년간 지속된 성장·소비주 대 금융·시클리컬 업종의 극단적인 양극화가 단기 임계치에 도달했다”고 설명했다.

 

그러면서 “이를 촉발한 것은 6월 PMI지수 반등을 계기로 동행지표 회복과 전체 A주의 이익 사이클 재개에 따른 기대감 부각, 홍콩 보안법 발효와 미국의 제한적인 응수, 위안화 강세로 대내외 불확실성 축소, 증권주와 은행주 각각의 정책 모멘텀 등이 단기 트리거였다”고 덧붙였다.

 

김 연구원은 “7월 지수의 오버슈팅 가능성을 배제할 수 없으나 결국 3분기 상해종합 기준 3200~3450포인트 사이에서 숨고르기가 예상된다”며 “실적기반의 안정적인 강세장은 4분기 이후부터 2021년 상반기까지로 예상된다”고 진단했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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