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[코스피 마감]언택트株 시세 분출에 사흘 만에 상승

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Thursday, July 09, 2020, 15:07:52

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 사흘 만에 상승세로 돌아섰다. 네이버, 카카오 등 이른바 '언택트' 관련주들이 강한 시세를 분출하면서 지수 상승을 주도했다.

 

9일 코스피 지수는 전날보다 0.42% 오른 2167.90에 장을 마쳤다. 0.57% 상승 출발한 지수는 장중 오르내림을 반복하다가 장 막판 다소 기세가 꺾였다.

 

지수는 좁은 범위 안에서 움직였지만 종목별로는 뚜렷한 온도차가 나타났다. 코로나19의 장기화에 따라 '컨택트' 업종은 철저히 소외된 반면 '언택트' 업종에 해당하는 종목들이 불을 뿜었다.

 

카카오가 8% 넘게 폭등하며 사상 최고가를 갈아치웠고 네이버도 4% 넘게 상승하며 신고가를 경신했다. 전기차 시장 확대 기대 속에 LG화학도 5% 넘게 오르며 52주 신고가를 새로 썼다. 코로나 치료제 개발 기대에 셀트리온도 4%대 급등세를 연출했다.

 

이민아 대신증권 연구원은 "텐센트, 알파벳, 페이스북, 아마존 등 글로벌 인터넷 그룹의 주가가 동반 신고가 행진 중"이라며 "코로나19 사태의 장기화 가능성이 대두되면서 언택트 업체들의 수혜가 지속될 것이란 기대감이 커지고 있다"고 진단했다.

 

반면 국내 증시 투톱인 삼성전자와 SK하이닉스는 나란히 소폭 약세로 마쳤고 현대차는 보합에 머물렀다. 대형 금융사인 하나금융지주, KB금융, 신한지주 등도 동반 하락했다.

 

'동학개미'의 힘이 여전히 장세를 주도했다. 투자주체별로 살펴보면 개인이 3100억원대 순매수했고 기관과 외국인이 각각 2500억원대, 300억원대 순매도를 기록했다. 원달러 환율은 전날과 동일한 달러당 1195.50원을 나타냈다.

 

업종별로는 상승한 업종이 다수인 가운데 비금속광물, 음식료, 의료정밀, 화학, 의약품, 서비스 등이 1% 넘게 올랐다. 은행, 유통, 통신 등은 약세로 마감했다.

 

개별종목 가운데는 OCI, 한화솔루션, 신성이엔지 등 신재생 에너지 관련주들의 급등세가 두드러졌다. 한샘, 현대리바트 등 인테리어 관련주들도 강한 시세를 분출했다.

 

우선주들의 이상 급등락이 이날도 지속됐다. 한화투자증권우, 한화우, 한양증권우 등이 상한가를 기록한 반면 현대건설우, 신원우, 동부건설우, 덕성우 등은 급락세로 마감했다.

 

이날 코스닥 지수는 전날보다 0.91% 오른 772.90에 장을 마쳤다. 시총 상위주 가운데는 셀트리온제약이 7% 넘게 급등세를 기록했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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