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삼성전자, 올해 산학협력에 1000억원 투자…혁신 생태계 육성에 박차

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Monday, July 13, 2020, 11:07:00

반도체·디스플레이 분야 산학협력 규모 2배 이상 확대
전·현직 교수 350여명·우수학생 400여명 양성

 

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 반도체 미래 기술과 인재 양성을 지원하기 위해 설립한 ‘산학협력센터’가 출범 2주년을 맞았습니다.

 

13일 삼성전자에 따르면 지난 2018년 7월 대학의 연구역량이 반도체 산업의 생태계를 질적으로 성장시키는 기초 토양이라는 판단에 따라 산학협력을 전담하는 ‘산학협력센터’를 설치했습니다.

 

이를 통해 매년 ▲ 전, 현직 교수 350여 명 ▲ 박사 장학생 및 양성과정 학생 400여 명 등을 선발해 지원하고 있습니다. 또 반도체·디스플레이 분야 산학과제 지원 규모를 기존 연간 400억원에서 2배 이상 확대했습니다.

 

삼성전자는 코로나19 등으로 인한 불확실성 속에서도 올해 산학협력 기금 1000억원을 투입하기로 했습니다.

 

산학협력 투자는 ▲ 연구활동 지연 ▲ 과제 보류 ▲연구비 축소 등 코로나19 사태로 어려움을 겪으며 위축돼 있는 국내 대학들의 연구 현장에 활력을 불어 넣을 것으로 기대됩니다.

 

삼성전자는 국내 대학들이 반도체 연구 인프라 부족을 극복하고 실제 산업에 적용할 수 있는 연구성과를 낼 수 있도록 회사가 보유한 첨단 반도체 설비를 대학들이 연구 활동에 사용할 수 있도록 무상 지원하고 있습니다.

 

지난해 삼성전자는 10여개 대학으로부터 약 100여 건의 연구용 테스트 반도체 제작 의뢰를 받아 모두 무상으로 지원했습니다.

 

또한 삼성전자는 산학협력이 실질적인 성과로 이어질 수 있도록 현재 진행 중인 협력과제들의 특허 등록을 장려하고 있는데요. 기존의 공대 중심의 산학협력뿐만 아니라 기초과학 분야에 대해서도 협력을 넓혀가고 있습니다.

 

특히, 삼성전자는 신소재 개발과 공정 데이터 분석 등에 활용할 수 있는 물리·화학·수학 등 기초과학 분야의 연구과제에 대해 전체 산학협력 금액의 10% 이상을 할애해 지원하고 있습니다.

 

삼성전자 DS부문 산학협력센터장 이한관 상무는 “국내 대학들과의 산학협력 프로그램을 확대해 대학들이 우수한 실무형 R&D 인력을 양성할 수 있도록 할 것”이라며 “우수 인재가 기업으로 진출해 역량을 펼칠 수 있는 건전한 생태계를 구축하는데 기여할 것으로 기대된다”고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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