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유한양행, 연구소 기업 ‘아임뉴런’에 60억 원 규모 전략적 투자

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Monday, July 08, 2019, 14:07:20

아임뉴런, 성균관大 교수 2명·유한양행 출신 김한주 대표 공동 설립
“기초의과학·난치질환 신약개발 역량 결합..지속적 바이오 생태계 조성”

인더뉴스 김진희 기자ㅣ유한양행이 국내 한 연구소 기업에 전략적 투자를 진행했다. 유한양행은 신생회사의 기술에 투자함으로 건강한 생태계를 조성하는 책임을 다하는 동시에 환자와 질병에 발빠르게 대처하는 본래적 사명에 충실한 투자를 이어간다는 방침이다.

 

8일 유한양행(대표이사 이정희)은 국내 연구소 기업 아임뉴런 바이오사이언스의 시드라운드 (Seed Round; 창업 초기 투자자들에게 투자를 받는 초기 자금조달 단계)에 60억 원 규모의 전략적 투자를 단행했다.

 

유한양행 측은 “혁신 기초의과학 연구 및 난치질환 신약개발에 대한 책임감을 가지고 미개척 분야에 도전, 글로벌 선도기업으로 도약하겠다는 유한양행의 강력한 의지가 증명된 투자다”고 관련 내용을 설명했다.

 

아임뉴런 바이오사이언스는 신생 연구소 기업으로 지난 4월 성균관대 2명의 교수진과 유한양행 출신의 김한주 대표이사가 공동 설립했다. 뇌질환 등 난치질환으로 고통받는 환자를 위해 새로운 치료법을 개발할 수 있는 기초의과학 연구에 전념하고 있으며, 차세대 치료제 개발을 위한 다수의 플랫폼기술 관련 지적재산권(IP)을 보유하고 있다.

 

다양한 약물과 결합 가능한 ‘뇌혈관장벽(BBB; Blood Brain Barrier) 투과 약물전달 플랫폼기술’과 약물의 뇌혈관장벽 투과성을 정량적으로 측정할 수 있는 ‘인비보(In vivo) 라이브 이미징 기술’이 대표적이다.

 

유한양행은 앞선 지난 5일 유한양행은 성균관대와 국가 바이오산업 발전 및 인류건강 증진을 위한 포괄적이고 전략적인 협력관계를 구축하는 업무협약을 체결한 바 있다.

 

유한양행은 아임뉴런과 뇌혈관장벽 투과 뇌질환 치료제의 공동개발에 나서기로 했으며, 이를 통해 뇌암·퇴행성뇌질환 등 뇌질환 영역에 대한 신약 파이프라인을 강화한다는 계획이다.

 

이정희 유한양행 사장은 “이번 투자는 유한양행·성균관대·아임뉴런 바이오사이언스가 국가 바이오산업의 미래지향적인 발전을 도모하고 차세대 혁신신약 개발에 도전할 수 있는 계기를 마련한 것”이라며 “향후 혁신적인 기초의과학 기술로 난치질환 신약개발에 나서 지속적인 바이오산업 생태계를 조성할 것”이라고 강조했다.

 

난치 질환 신약 수요는 많지만, 이를 위한 충분한 기술 도전이 이뤄지지 않아 성장이 더딘 분야로 알려져 있다.

 

유한양행과 함께 아임뉴런 바이오 사이언스에 40억원을 투자한 정이종 킹고투자파트너스 대표이사는 “아임뉴런의 연구 플랫폼기술이 글로벌 제약업계에서 그동안 치료가 어려웠던 환자들에게 새로운 치료법과 희망을 제시해줄 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.

 

김한주 아임뉴런 바이오사이언스 대표이사는 “아임뉴런은 이번 투자유치를 통해 일차적으로 뇌질환 신약개발에서 기술적 한계를 보이는 뇌혈관장벽 약물투과 플랫폼기술을 성숙시키는데 집중할 계획이다”며 “궁극적으로는 글로벌 수준의 기초의과학 우수성 및 신약개발 역량을 결집시킨 새로운 모델을 창출해 글로벌 연구소기업으로 성장할 것”이라고 포부를 전했다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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