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[다음주 분양] 16개 단지 8010가구 분양…‘기흥 푸르지오 포레피스’ 外

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Saturday, July 25, 2020, 06:07:00

인더뉴스 이재형 기자ㅣ오는 7월 마지막 주는 전국 16개 단지서 총 8010가구(일반분양 7166가구)의 청약 접수를 진행합니다.

 

부동산114에 따르면 다음 주 청약은 ▲27일(월) 경기 남양주시 다산동 ‘다산 지금데시앙스튜디오’(오피스텔) 등 2곳 ▲28일(화) 경기 용인시 영덕동 ‘기흥 푸르지오 포레피스’(당해지역) 등 6곳 ▲29일(수) 경기 광주시 초월읍 ‘광주 초월역 한라비발디’(1순위) 등 3곳 ▲30일(목) 경기 수원시 망포동 ‘영통 아이파크캐슬 3단지’(당해지역) 등 4곳 순 ▲31일(금) 경기 양평군 양평읍 ‘양평 휴먼빌 센트럴시티’(1순위) 등 1곳 순입니다.

 

견본주택은 서울 강남구 대치동 ‘대치푸르지오써밋’, 경기 평택시 용이동 ‘e편한세상비전센터포레’, 대구 동구 신천동 ‘더샵디어엘로’ 등 19개 사업장에서 개관을 준비 중입니다.

 


7월 마지막 주 주요 청약 접수 단지

 


 

28일 대우건설은 경기 용인시 영덕동 산 111-1번지 일원에 들어서는 ‘기흥 푸르지오 포레피스’의 청약 접수를 진행합니다.

 

경기 용인시 영덕동 일대

 

단지는 지하 4층~지상 최고 31층, 6개동, 전용면적 59~84㎡, 총 677가구(일반분양 387가구) 규모로 조성됩니다. 단지 인근에 분당선 기흥역이 있고 GTX-A 용인역(가칭)이 2023년 개통될 예정이며 단지 앞에 버스 노선이 있어 서울 강남까지 1정거장에 도달 가능합니다.

 

생활 인프라는 롯데프리미엄아울렛(기흥점), 코스트코(공세점), 이케아(기흥점) 등 대형마트가 있고 청곡초가 도보 거리에 위치합니다. 5만9828㎡의 숲을 옆에 낀 민간 특례 숲세권 단지입니다.

 

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29일 (주)한라는 경기도 광주시 초월읍 쌍동 1지구(쌍동리 300-5번지)에 들어서는 '광주 초월역 한라비발디'의 청약 접수를 진행합니다.

 

단지는 지하 3층~지상 22층, 13개 동, 전용면적 62~84㎡, 총 1108세대로 조성됩니다. 단지로부터 도보 10분 거리에 경강선(판교~여주) 초월역이 있고 월판선(2025년 개통 예정)과 GTX-A(2023년 개통 예정) 노선도 착공을 앞두고 있습니다.

 

단지 주변에 백마산과 곤지암천 등 녹지가 있고 어린이공원, 소공원 등 공원도 준공될 예정입니다. 전 세대는 남향 위주로 설계됐고 남동 방향의 경사지에 위치해 채광에 유리한 지형입니다.

 

 

30일 HDC현대산업개발과 롯데건설은 경기 수원시 영통구 망포동 117-1번지 일원에 공급하는 ‘영통 아이파크캐슬 3단지’의 청약 접수를 진행합니다.

 

경기 수원시 영통구 망포동 일대

 

단지는 지하 2층~지상 19층, 9개 동, 전용면적 59~189㎡, 총 664가구 규모로 조성됩니다. 단지는 분당선 망포역과 가깝고 용인~서울간 고속도로, 경부고속도로, 영동고속도로 등 광역도로망을 이용할 수 있습니다.

 

편의시설은 도보 거리에 이마트 트레이더스(수원신동점)가 있고 신동 카페거리, 망포역 상권이 조성됐습니다. 교육시설은 인근에 망포초, 잠원중, 망포글빛도서관이 있습니다.

 

 

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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