검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업

삼성 호암상, 기초과학분야 2개 부문으로 확대

URL복사

Tuesday, August 04, 2020, 09:08:30

과학상을 ‘물리·수학부문’..‘’화학·생명과학부문’ 시상으로 분리 확대 개편

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ호암재단이 기초과학분야를 확대 개편해 국내판 노벨상을 만듭니다.

 

4일 호암재단(이사장 김황식)에 따르면 내년부터 기존 호암과학상을 과학상 물리·수학부문, 과학상 화학·생명과학부문으로 분리해 확대 개편하기로 결정했습니다.

 

호암재단은 올해 호암상 제정 30주년을 맞았는데요. 전 세계적인 코로나 확산에 따라 과학기술 분야에 대한 국가적 역량이 중요해지는 상황에서 기초과학분야의 연구 장려와 지원 확대가 필요하다는 국내외 전문가들의 의견을 적극 수렴했습니다.

 

이에 따라 2021년부터 호암상은 ▲과학상(물리·수학부문, 화학·생명과학부문) ▲공학상 ▲의학상 ▲예술상 ▲사회봉사상으로 시상되며 수상자들에게는 상장과 메달, 상금 3억원이 수여됐습니다.

 

기존에는 과학 전분야를 대상으로 단일 과학상을 시상해 왔는데요. 이번에 호암과학상을 물리·수학부문과 화학·생명과학부문으로 분리, 확대 개편해 한국 기초과학 분야의 경쟁력 높이는데 더욱 기여할 수 있을 것으로 기대됩니다.

 

물리와 수학은 전통적으로 밀접한 학문이며, 화학과 생명과학은 융복합화가 심화된 분야인데요. 호암재단은 국내외 다수의 학계 전문가들의 의견을 폭넓게 수렴하고 국제 과학계의 흐름을 반영해 개편 방안을 결정했습니다.

 

한편, 호암상은 노벨상 수상자 등 국내외 전문가로 구성된 심사위원회와 국제적 명성을 가진 해외 석학 자문단의 심사 등을 통해 한국 기초과학분야의 업적과 한국계 연구자들을 글로벌 무대에 적극적으로 소개하는 기회를 제공하고 있습니다.

 

호암상은 호암 이병철 선생의 인재제일과 사회공익 정신을 기려 학술·예술 및 사회발전과 인류복지 증진에 탁월한 업적을 이룬 인사를 현창하기 위해 1990년 이건희 삼성 회장이 제정했습니다. 올해 30회 시상까지 총 152명의 수상자들에게 271억 원의 상금을 수여했습니다.

 

호암재단은 지난 1991년부터 국내외 한국계 연구자들을 발굴해 호암과학상을 수여해 기초과학분야를 지원하고 한국 과학계의 국제적 위상을 높이는데 기여해 왔습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너