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LGU+ “화웨이 장비 도입 문제없어..공급중단 때 대안 있다”

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Friday, August 07, 2020, 14:08:44

회사 “하반기 분기당 영업익 2000억~3000억 달성 가능" 예상

인더뉴스 이진솔 기자 | LG유플러스가 화웨이 장비를 배제하라는 미국 국무부 부차관보의 발언에 대해 “심각한 것으로 느끼지 못했다”고 했습니다. 회사 측은 화웨이 문제와 관련한 보안에 만전을 기하며 혹시 모를 공급중단 사태에 대비하고 있다는 입장입니다.

 

이혁주 LG유플러스 최고재무책임자(CFO)는 7일 2분기 컨퍼런스콜(전화 실적설명회)에서 “최근 로버트 스트레이어 미 국무부 부차관보가 화웨이 장비를 배제하라고 한 것은 보편적 수준에서 미국 국무부가 취하고 있는 전략적 내용을 얘기한 것”이라며 “장비 도입과 관련해서는 심각한 것은 느끼지 못했다”고 밝혔습니다.

 

미국의 요구는 화웨이 장비를 도입하는 기업 및 국가를 향한 원론적인 입장을 밝힌 것일 뿐 LG유플러스와 화웨이 관계에 직접 개입하겠다는 의지를 표현한 것은 아니라는 해석입니다.

 

LG유플러스는 국내 이동통신사 중 유일하게 5G 상용망 구축에 중국 화웨이 장비를 활용하고 있습니다. 이달 로버트 스트레이어 부차관보가 LG유플러스의 화웨이 장비 도입에 대해 “우려스럽다”고 하면서 논란이 불거졌습니다.

 

5G 단독모드(SA) 구축 과정에서 화웨이 장비 공급이 중단될 경우 대책이 있느냐는 질문에 이혁주 CFO는 “답을 바로 내릴 사안은 아니지만 여러 대안을 갖고 있다”며 “사업 운영의 효율성과 고객 서비스 측면에서 문제가 없이 진행돼야 한다는 가정하에 업무를 추진할 것”이라고 했습니다.

 

◇하반기 마케팅 비용 및 설비투자 효율화 지속

 

이날 발표된 2분기 실적에서 LG유플러스는 영업이익이 전년 동기에 견줘 59.2%나 늘어난 2397억원을 기록했습니다. 같은 기간 매출액은 3조 2726억원으로 5.1% 증가했습니다.

 

영업이익 증가는 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 영향으로 단말 판매가 감소했고 마케팅 비용도 덩달아 줄면서 수익성이 개선된 결과입니다. LG유플러스 2분기 마케팅비는 전년 대비 1.4% 감소한 5569억 원으로 집계됐습니다. 설비투자 역시 같은기간 14.3% 줄어 6253억원이 집행됐습니다.

 

하반기에는 프리미엄 5G 스마트폰이 대거 출시되면서 시장이 활성화될 것으로 전망됩니다. LG유플러스가 하반기까지 분기 당 2000억원에서 3000억원 규모 영업이익 달성이 어렵지 않으리라고 관측한 배경입니다. 마케팅 비용 과열 경쟁을 피해 현재 매출 대비 23.3%에 달하는 마케팅비 비중도 개선할 계획입니다.

 

설비투자 규모는 올해 가이던스인 2조 5000억원을 유지합니다. 전국 85개 주요 도시를 제외한 곳은 이동통신3사가 협력해 5G 인프라를 구축하는 식으로 투자 부담을 줄인다는 계획입니다.

 

LG유플러스는 “5G 커버리지(수신범위) 중심으로 투자를 확대했고 향후 인빌딩(실내)을 통해 품질 향상에 초점을 맞출 계획”이라며 “다만 전체 투자 가이던스 범위를 벗어나지는 않을 것”이라고 말했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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