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[코스피 마감] 이번주 내내 상승...2350선 돌파

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Friday, August 07, 2020, 16:08:06

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 5거래일 연속 상승 마감했다. 이 가운데 개인은 8500억원 이상 순매수했고 2차전지 대표주인 LG화학과 삼성SDI는 각 10%, 4% 가까이 급등하며 불을 뿜었다.

 

7일 코스피 지수는 전 거래일보다 9.06포인트(0.39%) 올라 2351.67을 가리켰다. 이날 코스피 지수는 장 시작과 함께 상승폭을 키우며 2360선을 터치했으나 이후 등락을 거듭하다 2350선에 안착했다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “코스피는 개인이 대규모 순매수에 나서며 2362포인트를 기록한 가운데 기관이 9거래일 연속 순매도 속에 외국인 현선물 매물이 출회돼 상승폭이 축소됐다”며 “트럼프 대통령의 틱톡, 위챗 사용금지 행정명령 발표 소식에 미중 갈등 확대 우려가 불거지며 하락전환하기도 했다”고 설명했다.

 

그러면서 “다만 중국의 7월 경제지표 호조와 2차전지 관련주의 급등에 힘입어 오후장 들어 상승반전했다”며 “중국 7월 수출은 전년대비 7.2% 증가해 예상치를 상회했고, 7월 유럽 주요 국가들의 전기차 판매량이 전년 동월 대비 214% 증가했다는 소식이 전해지자 2차전지 관련주가 급등했다”고 분석했다.

 

수급적으로는 개인이 홀로 8557억원 가량 주식을 사들이며 지수를 끌어올렸다. 기관과 외국인은 각 7977억원, 779억원을 순매도했다.

 

업종별로는 상승우위 흐름을 나타냈다. 화학이 5% 이상 급등한 것을 비롯해 비금속광물, 통신업이 3% 내외 상승률을 보였다. 여기에 통신업이 2% 이상 오른 것을 비롯해 음식료품, 저기가스업 등은 1% 이상 강세였다. 반면 의료정밀, 보험, 섬유의복이 1% 이상 빠진 가운데 유통업, 서비스업, 은행, 의약품, 철강금속, 증권,전기전자 등이 약세였다.

 

시가총액 상위 10곳은 혼조세였다. 카카오가 3% 이상 빠진 것을 비롯해 NAVER, 삼성바이오로직스, 삼성전자, SK하이닉스, 삼성전자우가 파란불을 켰다. 반면 LG화학이 10% 가까이 폭등했고 삼성SDI도 4% 가까이 상승했다. 이밖에 현대차, 셀트리온은 1% 이상 상승률을 나타냈다.

 

이날 거래량은 8억 225만주, 거래대금은 17조 3246억원 가량을 기록했다. 상한가 4개를 포함해 378종목이 상승했고 하한가 없이 462종목이 하락했다. 보합에 머무른 종목은 62개였다.

 

한편 코스닥은 3.51포인트(0.41%) 올라 857.63을 기록했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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