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‘2인자’ 황각규 사임…“롯데서 40년 지낸 인수·합병 전문가”

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Thursday, August 13, 2020, 18:08:43

두산주류·우리홈쇼핑·바이더웨이 등 기업 인수·합병 진행

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ롯데그룹 2인자 황각규 롯데지주 부회장이 경영 일선에서 물러났습니다.

 

13일 롯데지주에 따르면 회사는 이날 오후 4시 이사회를 열고 황 부회장 퇴진을 포함한 그룹 주요 인사를 의결했습니다.

 

1954년 경남 마산 출생인 황각규 부회장은 1979년 호남석유화학(현 롯데케미칼)에 입사한 후 40년이 넘도록 롯데맨으로 지냈습니다. ‘신동빈의 남자’라고 불리는 그는 1990년 신동빈 롯데그룹 회장과 처음 인연을 맺었는데요. 당시 신 회장이 황각규 부회장과 함께 일하며 최측근으로 자리 잡았습니다.

 

황 부회장은 신동빈 회장 입사 이후 롯데그룹 기획조정실(정책본부) 국제부 부장으로 임명되며 본격적으로 그룹 경영에 참여했습니다. 이후 정책본부 국제실 부사장으로 승진하며 롯데지주 공동대표에까지 올랐습니다.

 

그는 그룹전략을 담당하며 지난 2004년 우리홈쇼핑(현 롯데홈쇼핑), 2007년 대한화재(현 롯데손해보험), 2009년 두산주류(현 롯데주류), 2010년 바이더웨이 (현 코리아세븐) 등 굵직한 기업 인수·합병(M&A)을 수행해 롯데그룹의 성장과 수익성 향상에 기여했다는 평가를 받고 있습니다.

 

이후 2014년 롯데정책본부 운영실장을, 2017년 2월에는 롯데그룹 경영혁신실장으로 그룹의 전반적인 경영관리와 쇄신작업을 이끌었습니다. 이어 8개월 뒤인 2017년 10월에는 신동빈 회장과 함께 롯데지주 공동 대표이사에 선임됐습니다.

 

2018년에는 롯데지주 부회장으로 승진해 ‘롯데지주 주식회사’를 성공적으로 출범시키며 롯데의 새로운 도약의 발판을 마련했다는 평을 받기도 했습니다. 또 롯데그룹 경영권 분쟁인 ‘형제의 난’과 신 회장의 구속에 따른 경영공백기에도 자리를 지키며 그룹 성장을 이끌어왔습니다.

 

지난해 12월에는 송용덕 롯데지주 부회장이 롯데지주 대표이사로 자리를 옮기면서 신동빈 롯데그룹 회장과 황각규, 송용덕 부회장 등 3인 공동 대표이사체제로 그룹운영을 맡아 왔습니다.

 

한편, 이날 롯데는 지주를 포함한 일부 계열사의 임원인사를 단행했습니다. 황각규 롯데지주 부회장은 그룹에 변화가 필요한 시점이라고 판단해 경영 일선에서 물러났는데요.

 

황 부회장은 “빠르게 변화하고 있는 비즈니스 환경에 신속하게 대응하기 위해서는 젊고 새로운 리더와 함께 그룹의 총 역량을 집중해야 한다”며 물러나겠다는 뜻을 밝혔습니다.

 

황 부회장은 롯데지주 이사회 의장으로서의 역할은 계속하여 수행할 예정입니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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