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이중근 부영 회장, 횡령·배임 혐의 징역 2년 6개월 실형 확정

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Thursday, August 27, 2020, 15:08:39

상고심서 2심 판결 유지..회삿돈 아들 대여 등 혐의 인정

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ이중근(79) 부영그룹 회장이 횡령·배임 등 혐의로 2심서 받았던 징역 2년 6개월과 벌금 1억원의 실형이 확정됐습니다.

 

대법원 2부(주심 김상환 대법관)는 27일 상고심을 열고 이 회장의 횡령·배임 혐의를 유죄라고 판결했던 원심을 확정했습니다.

 

당초 검찰은 이 회장에게 4300억원에 달하는 특정경제범죄 가중처벌법상 횡령·배임, 조세포탈, 공정거래법 위반, 임대주택법 위반 등 12개 혐의로 기소했습니다.

 

이 회장은 자신의 서적을 출판하면서 회삿돈 246억원을 인출, 이중 45억원을 사업성 검토 없이 아들이 운영하는 영화 제작업체에 빌려준 혐의를 받았습니다. 또 이 회장 매제의 형사사건 벌금 100억원과 종합소득세 등 19억 7000만원을 내는데 회삿돈을 쓴 혐의도 받았습니다.

 

이 같은 공소사실 중 1심은 이 회장의 횡령·배임 혐의만 인정해 징역 5년과 벌금 1억원을 선고했습니다. 유죄로 인정된 횡령액은 약 366억 5000만원, 배임액은 156억 9000만원입니다.

 

2심에선 일부 혐의에 대한 유·무죄 판단이 뒤바뀌면서 징역 2년 6개월, 벌금 1억원으로 형량이 줄었습니다. 감형사유는 피해액이 모두 변제됐고 부영그룹이 이 회장의 가족 등 특수관계인 소유라 제3자 피해가 거의 없었다는 등의 이유입니다.

 

계열사 주식으로 증여세를 납부해 50억원 상당의 손해를 떠넘긴 배임 혐의는 1심에선 유죄였는데요. 2심서 무죄로 뒤집혔습니다. 그리고 회삿돈을 아들 회사에 대여한 혐의는 1심에서 무죄였지만 2심서는 유죄 판결을 받았습니다.

 

이에 이 회장 측과 검사 모두 상고했지만 이날 대법원이 상고를 기각하면서 결국 원심 판결이 확정됐습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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