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중국 시중은행, 코로나19發 부실채권 위험↑

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Monday, August 31, 2020, 11:08:13

4대 시중은행, 대손충당금 전분기보다 27~97% 증가

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ우리나라 뿐 아니라 중국의 은행들도 코로나19 영향으로 상반기 큰 규모로 대손충당금을 쌓아 올렸습니다. 세계 주요국 경제 지표에서 홀로 성장세를 보인 중국이지만, 코로나19 경제 대응에 앞장 선 은행은 부실채권 리스크 영향에서 자유롭지 못한 것으로 풀이됩니다.

 

30일(현지시각) 블룸버그 통신에 따르면 중국 4대 대형 은행의 상반기 순이익은 10% 이상 줄어든 반면 대손충당금은 27~97% 증가했습니다. 중국 4대 은행인 공상·건설·농업·중국은행의 순이익은 모두 감소세를 기록했습니다.

 

씨티은행도 올해부터 오는 2022년까지 중국 은행권의 수익 전망치를 10%포인트 이상 줄였습니다. 특히 올해 하반기까지 모두 13%의 이익이 감소할 것으로 내다봤습니다.

 

무디스는 “코로나19 영향으로 소비심리가 위축됐다”며 “부실대출 위험이 늘어나 하반기 이후 중국은행권 수익성에 부정적인 여파가 불가피하다”고 평가했습니다.

 

8월 초 중국 중앙은행인 인민은행은 2분기 정책보고서를 통해 부실채권이 늘어날 우려가 있다는 점을 지적하며 시중은행에 긴급대책을 촉구했습니다. 경제지원을 위해 유동성을 유지하면서도 은행권 부실채권을 우려하고 있는 것으로 파악됩니다.

 

불룸버그는 “코로나19 경제위기 대응으로 중국 시중은행들은 상반기에 큰 규모의 출혈이 있었다”고 파악했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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