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日 규제에도 ‘감산설’로 반도체 업황 회복 기대

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Thursday, July 11, 2019, 18:07:13

삼성전자·SK하이닉스 주가 상승세..D램 현물가↑
추가 감산 여부에 따라 메모리 반도체 긍정적

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ일본 반도체 소재 수출규제가 다운사이클이 이어지고 있는 메모리 반도체 업황 반등을 견인할지 주목된다. 소재 수급이 어려워진 삼성전자와 SK하이닉스가 감산에 나선다는 기대감 때문이다.

 

11일 삼성전자 주가는 전날보다 1.43% 상승한 4만 6200원으로 장을 마감했다. SK하이닉스도 3.57% 올라 7만 5500원으로 마감하며 사흘 연속 2% 이상 강세를 이어갔다.

 

이는 최근 메모리 반도체 현물 가격이 소폭 상승함에 따른 기대감이 반영된 결과로 분석된다. 디램익스체인지에 따르면 4Gb DDR3 등 일부 D램 제품 현물가격이 이달부터 소폭 반등세를 보이고 있다.

 

 

최근 미국 마이크론이 웨이퍼 투입량을 5%에서 10% 줄이는 감산을 진행하고 낸드플레시는 일본 도시바가 올해 1분기부터 캐파 20% 수준 감산을 실행하며 공급을 줄이고 있다. 여기에 최근 일본 반도체 소재 수출규제로 삼성전자와 하이닉스도 감산에 나설 것으로 점쳐지기도 했다.

 

하지만 일본 규제에 따른 국내 업체 반도체 감산은 아직 불확실하다. 삼성전자 관계자는 “감산은 아직 결정된 바 없다”고 말했다.

 

SK하이닉스는 이전부터 감산을 진행해 왔다. SK하이닉스 관계자는 “감산 이야기는 새로운 것이 아니라 지난 1분기 실적발표 때 나왔던 내용이 부풀려진 것”이라며 “추가 감산은 계획에 없다”고 말했다.

 

낸드플래시는 삼성전자, SK하이닉스 등 상위 업체들이 감산에 나서는 정도에 따라 반등을 점쳐볼 수 있다. D램 시장은 서버 시장 수요가 회복되는 시점이 주요 반등 시기로 꼽힌다. 특히 올해 하반기 출시가 예상되는 인텔 신규 서버용 CPU가 수요 증가를 이끌 것으로 보인다.

 

이번 일본 소재 규제가 긍정적 영향을 줄 수 있다는 분석도 있다. 도현우 NH투자증권 연구원은 “규제가 국내 메모리 반도체 생산에 끼치는 실제 영향 여부와 상관없이 수요자 심리적 불안감을 자극하고 있다”며 “일단 재고를 늘리는 방향으로 구매 전략을 바꾸게 만들고 있다”고 말했다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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