검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

ICT 정보통신

“우수 인재 적극 채용”...네이버, 신입 개발자 공개채용

URL복사

Friday, September 04, 2020, 10:09:40

오늘부터 18일까지 지원서 접수..온라인 코딩 테스트·두 차례 면접 진행

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ네이버㈜(대표이사 한성숙)가 S·W 개발 직군 신입사원 공개채용을 4일부터 진행합니다.

 

이번 신입 개발자 공개채용은 ▲네이버 ▲네이버 비즈니스 플랫폼(NBP) ▲웍스모바일 ▲스노우 ▲네이버웹툰 ▲네이버파이낸셜 ​6개 법인이 공동으로 진행하며, FE, iOS, Android, BE(AI/ML 포함) 부문에서 총 000명의 신입 개발자를 선발합니다.

 

지원 자격은 2021년 2월 졸업 예정인 학·석사 또는 총 경력 2년 미만의 기졸업자로 지원자들은 ​4일부터 18일까지 입사지원서를 접수하면 됩니다. 서류심사 이후에는 온라인 코딩 테스트와 1차 기술면접과 2차 종합면접으로 진행됩니다.

 

두 차례 면접은 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 대비 지원자들의 안전을 고려해 온라인으로 진행될 예정입니다. 최종 합격자들은 12월 중 입사하며, 입사 후 ​입문 과정을 ​거쳐 각 조직과 분야에 배치됩니다. 다만 코로나 바이러스 감염증(코로나19) 상황에 따라 일정과 면접 방식이 변경될 수 있습니다.

 

네이버는 지원자들에게 입사 준비 과정에서 필요한 다양한 정보를 제공하기 위해 ‘2020 신입개발공채 체크포인트’ 페이지도 개설했습니다.

 

올해 채용의 중요한 키워드를 비롯해, 개발 문화와 업무 환경, 입사 준비 과정 등 네이버 개발자들의 경험을 만나볼 수 있으며, 지원자들이 궁금해하는 내용에 대해 면접관과 신입사원이 직접 작성한 답변도 확인할 수 있습니다.

 

이번 공채에 앞서 네이버가 지난 7월부터 6주 동안 개최한 온라인 채용설명회 ‘NAVER DEVELOPER OPEN CLASS 2020’에는 6000명 이상이 참여하는 등 네이버 개발자 채용에 뜨거운 관심을 보였습니다.

 

네이버 채용을 담당하는 Recruiting Channel 김소연 리더는 “올해도 작년 규모로 채용을 계획하고 있으며 우수한 인재가 있으면 보다 적극적으로 채용할 예정이다”며 “상반기에도 캠퍼스 핵데이, 국내외 대학들과 연계된 인턴십, 부스트캠프 인턴십 등 다양한 프로그램을 통해 신입 개발자를 채용해왔다​​”고 말했습니다.

 

이어 “네이버는 최고의 동료들과 함께 국내를 넘어 글로벌 무대에서 도전하고 성장 할 수 있는 곳으로 탄탄한 기본기와 개발에 대한 열정이 있으신 분들의 많은 지원 바란다”고 덧붙였습니다.

 

네이버 신입 개발자 공개채용에 대한 자세한 내용은 NAVER Career(채용 홈페이지) 또는 네이버 신입 개발자 공개채용 페이지에서 확인할 수 있습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너