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강남 개발이익을 강북에도 쓴다...서울시, 공공기여금 법 개정 추진

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Wednesday, September 09, 2020, 13:09:18

자치구 별로 제한됐던 개발이익 사용 범위 넓힌다
대규모 개발 이익만 해당..임대주택 등에 투입

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ서울에서 발생한 개발이익이라면 자치구 구분 없이 사용할 수 있게 되는 법 개정안이 나왔습니다. 가령 강남의 개발이익을 강북에서 쓸 수 있게 되는 건데, 서울시는 이를 통해 지역 격차를 좁힐 수 있다고 보고 있습니다.

 

서울시는 올해 안에 국토교통부와 함께 ‘국토의 계획 및 이용에 관한 법률’의 개정을 추진한다고 9일 알렸습니다.

 

법 개정 취지는 서울 내 도시 개발로 발생한 개발이익(공공기여금)의 사용처를 넓히는 겁니다. 공공기여금이란 도시를 개발하는 과정에서 시가 용적률 상향 등 도시계획 변경을 허가해준 경우 개발이익의 일부를 기부채납으로 받는 건데요.

 

현재 공공기여금은 그 이익이 발생한 자치구 안에서만 쓸 수 있습니다. 가령 서초구 서초동에서 공동주택을 짓다가 생긴 공공기여금은 서초구에서만 쓸 수 있는 식입니다.

 

그러나 시는 이 규정 때문에 서울 내 지역 발전 격차가 심화 된다고 보고 있습니다. 개정안이 통과되면 자치구 구분 없이 공공기여금 사용이 가능해집니다. 강남에서 발생한 개발이익을 강북 등 서울 전역에서 사용할 수 있게 되는 겁니다.

 

다만 이전적지, 유휴부지 개발사업 등 대규모 개발사업에서 발생한 공공기여금만 이처럼 폭넓게 활용할 수 있습니다. 지구단위계획구역을 지정하거나 도시·군계획시설 결정이 바뀐 경우가 이에 해당합니다.

 

이렇게 확보된 공공기여금은 ▲장기미집행 도시계획시설 ▲임대주택 등 조례로 정하는 시설(공공임대주택, 공공기숙사, 공공임대산업시설) ▲기반시설 및 공공시설 등을 설치할 때 사용할 수 있습니다.

 

이정화 서울시 도시계획국장은 “강남 지역의 대규모 개발로 발생하는 상당 규모의 공공기여금을 해당 지역뿐 아니라 상대적으로 낙후한 비(非)강남권에도 투자할 수 있도록 국토부와 함께 제도개선을 추진해왔다”며 “서울 전역을 놓고 시급성과 우선순위를 고려해 기반시설 등 설치를 추진함으로써 지역 간 불균형을 해소하고 상생발전의 토대를 이룰 수 있도록 최선을 다해 추진하겠다”고 말했습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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