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Policy 정책

저축은행 부동산 PF대출 은행수준으로 강화

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Monday, September 14, 2020, 15:09:50

금융위, 감독규정 변경..“건전성 악화 예방 차원”
대손충당금 적립기준↑..내부통제 강화조항 신설

인더뉴스 유은실 기자ㅣ코로나19가 장기화되는 가운데 저축은행의 건전성 악화를 선제적으로 방어하기 위해 내부통제가 강화됩니다.

 

상호저축은행업감독규정 개정으로 상호저축은행 부동산 PF(프로젝트 파이낸싱)대출 대손충당금 적립기준은 높아지고, 추가적립 기준도 마련될 방침입니다.

 

금융위원회는 14일 이같은 내용을 골자로 한 상호저축은행업감독규정 개정안 규정변경을 예고했습니다. 현재 저축은행의 건전성 수준은 전반적으로 양호한 편이나, 취약차주 비중이 높은 업권 특성을 고려해 손실흡수능력은 확충하고 건전성도 관리하기 위한 것으로 풀이됩니다.

 

먼저 부동산PF 관련 대손충당금 적립기준이 바뀝니다. 이는 지난해 정부가 관계기관 합동으로 마련한 부동산PF 익스포져(채무보증·대출 등 위험노출액) 건전성 관리방안 후속조치로 적립기준이 은행과 비슷한 수준으로 강화됩니다.

 

 

이에 따라 은행·보험·상호금융권과 동일하게 적립률 하향규정을 삭제합니다. 삭제되는 규정은 정상 분류 자산에 대해 ‘투자적격업체 지급보증 시 적립률을 2→0.5%로 하향’하는 것과 요주의 분류자산에 대해 ‘관련 자산이 아파트면 적립률을 10→7%로 하향’하는 규정입니다.

 

저축은행 대손충당금 추가적립기준과 사전에 마련하는 내부통제 강화조항도 신설됩니다. 추가 적립이 필요한 상황에서는 대상 여신 등을 포함해 ‘대손충당금 적립기준’을 이사회에서 심의·의결하도록 설정했습니다.

 

대손충당금 적립기준과 적립결과에도 감독원 보고의무가 부여됩니다. 다만 감독규정상 최저 적립률대로 적립하는 경우에는 보고의무가 면제됩니다.

 

이번 개정으로 저축은행 본점 종합검사 뿐 아니라 부문검사에도 필요한 경영실태 평가가 이뤄질 전망입니다. 현행 상 저축은행 경영실태평가는 본점 종합검사에서만 가능했는데, 5년간 실태 평가가 이뤄지지 않아 건전성 감독 수단으로 이를 활용하기 어렵다는 지적이 있었습니다.

 

금융위 관계자는 “저축은행이 스스로 건전성 관리를 할 수 있도록 이번 개정을 추진했다”며 “오는 11월 말까지 법제처와 규제개혁위원회 심사를 마무리하고 12월 중으로 금융위원회 의결 후 고시할 예정”이라고 말했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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