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삼성전자, ‘세계 알츠하이머의 날’ 맞아 국내 교수진 소개

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Sunday, September 20, 2020, 11:09:00

뇌손상 치료·뇌영상 MRI 등 뇌신경질환 분야와 뇌항상성·뇌기억 등 뇌연구 분야 지원

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 ‘세계 알츠하이머의 날(9월 21일)’을 앞두고 삼성미래기술육성사업 지원을 받아 알츠하이머 극복을 위해 노력하는 연구자들을 소개하는 영상을 ‘삼성전자 뉴스룸’에 공개했습니다.

 

삼성전자는 삼성미래기술육성사업을 통해 알츠하이머 진단·치료 관련 다양한 기초 연구를 지원 중에 있습니다.

 

현재까지 뇌손상 치료·뇌영상MRI·뇌영상유전학과 같은 뇌신경질환 분야와 뇌항상성·뇌기억·뇌신경회로와 같은 뇌연구 분야 등 알츠하이머 극복에 기여할 수 있는 기초 연구를 15개 지원했습니다.

 

삼성미래기술육성사업은 면역·세포·유전자 치료 등 바이오·헬스 분야에서 사람들의 삶을 혁신적으로 바꿀 수 있는 기초 연구 분야를 지속 지원중에 있습니다.

 

알츠하이머는 뇌 속에 아밀로이드베타나 타우단백질이 쌓이면서 독성을 일으켜 인지기능이 악화되는 병입니다.

 

대한민국 65세 고령자 중 10%가 치매를 앓고 있으며, 치매 원인 중 74.9%가 알츠하이머로 주변에서 흔히 볼 수 있는 질환입니다.

 

통계청에 따르면 2018년 사망원인 중 알츠하이머가 9위를 차지하며 처음으로 10위권 내 진입했습니다. 하지만 알츠하이머는 조기 진단이 어렵고, 아직까지 정확한 원인이 밝혀지지 않았을 뿐만 아니라 치료법도 없는 상황입니다.

 

◇ 국내 교수진들, 기초 연구로 알츠하이머 정복 초석 다져

 

정원석 KAIST 생명과학과 교수는 ‘수면과 노화에서 뇌의 항상성을 조절하는 새로운 메커니즘’을 연구 중에 있습니다. 뉴런의 접합부인 시냅스는 수면과 노화에 따라 감소한다고 알려져 있습니다.

 

정 교수의 연구는 뇌에서 면역 기능을 담당하고 있는 교세포들이 시냅스의 숫자가 유지되도록 조절하는 기능을 밝히고, 또 시냅스가 과도하게 제거되는 현상을 어떻게 방지할 수 있는지에 대한 것입니다.

 

KAIST 바이오 및 뇌공학과 박성홍 교수는 ‘새로운 뇌 영상화 기법(Modality)-Neuronal Resonance MRI’를 연구 중에 있습니다.

 

박 교수는 뇌막 림프관을 통해 뇌의 노폐물이 배출되는 경로를 밝히는 연구를 진행 중입니다. 뇌에는 대사활동의 부산물로 노폐물이 생성돼 배출되는데, 노화에 따라 노폐물의 배출 기능이 저하된다고 알려져 있습니다.

 

 

박 교수는 동물 실험으로 뇌의 기능을 떨어뜨리고 질병을 유발하는 노폐물이 뇌 하단에 위치한 뇌막 림프관을 통해 뇌 밖으로 빠져 나가는 것을 뇌 MRI 촬영 기술로 확인했습니다.

 

인간의 뇌 속 노폐물의 배출 경로도 밝혀진다면 그 경로를 집중적으로 자극하는 방식으로 치매와 같은 퇴행성 뇌질환 치료에 새로운 방향을 제시할 것으로 기대하고 있습니다.

 

연세대학교 의과대학 정호성 교수는 ‘퇴화 저항성 축삭의 RNA오페론’을 연구 중에 있습니다.

 

축삭 퇴화를 연구하면 뉴런이 죽는 이유와 정상 세포의 퇴화를 억제하는 원리를 밝혀낼 수 있습니다. 이를 통해 알츠하이머·파킨슨·루게릭병과 같은 신경 퇴행성 질환에 새로운 치료법을 제시할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

서울대학교 물리천문학부 박혜윤 교수는 ‘살아있는 뇌 안의 기억흔적 영상 기술’을 연구하고 있습니다. 살아있는 뇌에서 기억의 형성·저장·인출 과정이 어느 부위에서 어떻게 일어나는지를 실시간으로 파악할 수 있는 영상 기술 연구입니다.

 

박 교수는 장기 기억 형성에 연관돼 있다고 알려진 유전물질(베타액틴 RNA)을 살아있는 동물에서 바로 영상화해 기존 연구와 차별화 했습니다.

 

◇ 삼성미래기술육성사업, 도전적·혁신적 연구 지원

 

삼성미래기술육성사업은 우리나라의 미래를 책임지는 과학 기술 육성을 목표로 2013년부터 1조 5000억원을 출연해 시행하고 있는 연구 지원 공익 사업입니다.

 

연구자는 연구 주제, 목표, 예산, 기간 등에 대해 자율적으로 제안하고 연구 목표에는 논문, 특허 개수 등 정량적인 목표를 넣지 않았습니다.

 

또, 매년 연구보고서 2장 이외에 연차 평가, 중간 평가 등을 모두 없애 연구자가 자율적으로 연구에 매진할 수 있도록 했습니다. 도전적인 연구를 해 목표를 달성하지 못하더라도 책임을 묻지 않고, 실패 원인을 지식 자산으로 활용하도록 하고 있습니다.

 

삼성미래기술육성사업은 연구진들이 연구 성과를 공유하고 새로운 아이디어를 교류하는 ‘애뉴얼 포럼’, 연구 성과의 산업 활용도를 높이기 위한 ‘R&D 교류회’, IP출원을 지원하는 ‘IP멘토링’ 등 다양한 프로그램도 운영하고 있습니다.

 

지금까지 603개 과제에 7729억원을 집행했으며, 국제학술지에 총 1246건의 논문이 게재되는 등 활발한 성과를 보이고 있습니다. 이 중 네이처(3건), 사이언스(5건) 등 최상위 국제학술지에 소개된 논문도 97건에 달합니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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