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‘별내자이 더스타’ 아파트·오피스텔 932세대 10월 분양

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Wednesday, September 23, 2020, 16:09:57

아파트 740세대 오피스텔 192실 분양

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣGS건설이 남양주시에 조성하는 트리플 역세권 복합단지 ‘별내자이 더 스타’의 일부 물량을 분양합니다.

 

GS건설은 경기 남양주시 별내택지개발지구에 조성되는 대규모복합단지 ‘별내자이 더 스타’의 일부 아파트와 오피스텔을 오는 10월 분양한다고 23일 알렸습니다.

 

‘별내자이 더 스타’는 총 면적이 3만 9000㎡(1만 1800평)인 대규모복합단지입니다. GS건설은 복합 1블록과 상업 2~5블록 등 총 5개 블록으로 구성된 이곳에 ▲주상복합단지(아파트, 오피스텔) ▲생활숙박시설 ▲대규모 판매시설 ▲영화관 및 컨벤션 등 문화시설 ▲주차전용건물 등을 지을 계획인데요.

 

10월에는 이중 복합 1블록의 아파트와 주거형 오피스텔 총 932세대를 분양합니다. 아파트는 지하 3층~지상 최고 46층, 5개 동, 전용면적 84·99㎡, 총 740세대, 주거형 오피스텔은 지하 1층~지상 26층, 1개 동, 전용면적 47·49㎡, 총 192실이 공급될 예정입니다.

 

이번 청약에선 수도권(서울, 경기, 인천) 전 지역에서 1순위 접수가 가능합니다. 전용면적 84㎡ 타입은 일반공급 물량의 25%, 전용면적 99㎡ 타입은 일반 공급물량의 70%가 추첨제로 접수됩니다. 오피스텔은 청약통장 및 재당첨제한 등 조건 없이 만 19세 이상 이면 누구나 청약 접수할 수 있습니다.

 

GS건설은 경기 남양주시 별내2로 74에 별내자이 더 스타의 홍보관을 운영 중입니다. 견본주택은 10월 중 개관할 계획입니다.

 

GS건설 분양 관계자는 “인프라 완성단계에 들어선 별내신도시 내에서도 최고의 입지를 자랑하는 만큼 분양 전부터 많은 예비수요자들의 높은 관심을 받고있다”며 “다양한 교통호재가 있는데다 서울 접근성도 우수하며 향후 별내신도시를 대표하는 자이(Xi)타운이 될 것으로 기대된다”고 말했습니다.

 

◇ 서울 지하철 8호선과 GTX-B 노선 도입되는 ‘별내역’ 트리플 역세권 단지

 

별내자이 더 스타는 단지 인근에 철도 인프라 개발이 다수 예정된 역세권 단지입니다. 우선 사업지 인근에 있는 경춘선 ‘별내역’에 서울 지하철 8호선 노선이 개발 중입니다. 완공 시 서울 잠실역까지 10정거장만에 이동이 가능해집니다.

 

별내역에는 수도권광역급행철도인 GTX-B노선도 신설될 전망입니다. GTX-B노선은 인천 송도와 남양주 마석을 잇는 민간투자철도사업입니다. 서울 신도림, 여의도, 용산역을 경유하는데, 별내역에서 서울역까지 3정거장, 약 11분대 이동이 가능해집니다.

 

이외에도 별내신도시에는 서울지하철 4호선 별내별가람역(가칭)이 예정돼 있고, 구리(세종)~포천간 고속도로와 수도권 제1순환고속도로, 북부간선도로 등 광역도로망이 설치돼 있습니다.

 

상업·문화 시설로는 단지 안에 이마트(별내점)가 들어서고 단지 인근에 코스트코(상봉점), 구리농수산물도매시장 등이 있습니다. 녹지는 불암산, 수락산과 용암천, 불암천, 덕송천이 있고 용암천자전거길 등 근린공원이 다수 있습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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