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[iTN] 코스피, 반등 못하면 낙폭 확대 우려-유안타

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Thursday, September 24, 2020, 08:09:44

인더뉴스 박경보 기자ㅣ유안타증권은 24일 코스피에 대해 “반등은 가능하지만 확인과정이 필요하다”며 30일 이평선 회복에 실패할 경우 120일 이평선 부근까지 낙폭이 커질 수 있다고 분석했다.

 

정인지 유안타증권 연구원은 “코스피 대형주 지수는 8월 중반 이후 거래량이 꾸준히 감소하고 있다”며 “특히 9월 중반 상승 과정에서도 거래 늘지 않아 시장 에너지 약화되는 모습”이라고 평가했다.

 

이어 “코스피 지난 15일 이후 하락 과정에서 장기 상승 추세선을 이탈해 상승 추세에 중요한 변화가 발생했다고 볼 수 있다”며 특히 9월 고점이 8월 고점을 넘지 못해 장기 횡보 내지는 조정 국면이 진행될 가능성이 부각된 상황“이라고 우려했다.

 

그러면서 “코스피는 전일 60일 이평선과 8월 20일 저점대 부근에서 반등 시도가 나타났다”면서도 “반등 과정에서 30일 이평선 회복에 실패하면 120일 이평선 부근까지 낙폭이 확대할 수 있다”고 내다봤다.

 

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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