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천안 원도심 재개발 아파트 ‘이안 그랑센텀 천안’ 10월 분양

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Tuesday, September 29, 2020, 09:09:33

633가구 일반분양..생활 인프라 풍부한 봉명동 입지

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ천안의 중심이자 전통적 원도심 지역인 봉명동에 4년만에 새 아파트가 공급됩니다. 

 

대우산업개발은 천안 부창구역 주택재개발 정비사업을 통해 공급되는 ‘이안 그랑센텀 천안’을 오는 10월 분양합니다.

 

‘이안 그랑센텀 천안’은 충남 천안시 동남구 봉명동 일원에 지하 3층~지상 최고 25층, 9개 동, 전용면적 39~126㎡, 총 816가구 규모로 조성됩니다. 이중 59~84㎡ 타입의 633가구를 일반분양하는데요.

 

입주는 2023년 중순으로 예정됐습니다. 견본주택은 충남 천안시 서북구 쌍용동 215-29번지에 마련됩니다.

 

대우산업개발 분양관계자는 ”천안의 중심 생활권에 위치한 새아파트로 일대 4년만에 공급돼 지역 주민들의 관심이 높다” 며 ”지하철1호선 봉명역 초역세권 단지로 천안고 등 명문학군을 도보로 이용 가능하는 등 입지가 우수하고 일대 도심재생을 통한 주거환경 개선으로 미래가치도 높다”고 말했습니다.

 

◇ 생활인프라 풍부한 천안 원도심 단지

 

 

단지는 천안의 도심인 봉명동에 위치해 각종 생활 편의시설을 갖췄습니다. 단지 도보거리에 순천향대학교 천안병원이 있고 인근의 이마트, CGV, 로데오 의류타운, 동남구청 등을 이용할 수 있습니다. 

 

교통시설은 역세권 거리에 지하철1호선 봉명역이 있습니다. 또 KTX천안아산역과 천안고속터미널이 인근에 있고 천안IC를 통한 경부고속도로 진출입이 쉽습니다.

 

학교는 10여개의 초·중·고교 및 대학교와 가깝습니다. 단지 옆에 봉명초교, 도보거리에 천안고, 천안서여자중, 계광중, 봉서중이 있고 천안시 중앙도서관과 쌍용도서관을 이용할 수 있습니다.  

 

단지 주변에는 배산임수 지형이 형성됐습니다. 봉황이 깃든 산에서 유래된 봉서산을 등지고 천안천을 바라보는 구도로, 쌍용공원과 으뜸공원, 천안축구센터 등이 가깝습니다. 

 

한편 봉명동 일대는 주거환경을 개선하기 위해 천안시가 2022년까지 1조 64억원을 들여 도심재생뉴딜사업을 추진 중입니다. 일대에 순천향대학교 제2병원도 개발 중입니다.

 

‘이안 그랑센텀 천안’ 내부에는 쾌적한 공원형 아파트가 조성됩니다. 주차장을 100% 지하화하고 녹지공간을 극대화했습니다. 수공간과 야외 무대를 갖춘 단지 중심부의 커뮤니티마당과 테마별 어린이놀이터도 마련됩니다. 

 

커뮤니티시설은 휘트니스센터와 골프연습장, 키즈카페, 작은도서관, 경로당, 게스트하우스, 어린이집 등이 조성됩니다. 각 세대는 채광과 통풍에 유리한 남향위주로 배치되며 동간 거리를 넉넉하게 넓혔습니다.

 

세대 내부에는 공간활용도가 우수한 4Bay와 수납공간을 특화한 3bay 등 특화설계가 적용됩니다. ‘살림착착(주부순환동선)’과 ‘요리뚝딱(주방수납시스템)’, ‘안심든든(첨단보안시스템)’, ‘재미톡톡(테마형 단지설계)’ 등 대우산업개발의 특화평면도 적용됩니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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