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삼성전자 “기자 출입증 이용해 국회 출입, 진심으로 사과”

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Thursday, October 08, 2020, 18:10:09

류호정 의원 “삼성전자 간부, 출입기자로 국회 방문”..삼성전자, 즉각 사과

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자 임원이 기자 출입증을 이용해 국회에 출입한 것에 대해 사과했습니다.

 

삼성전자는 8일 “부적절한 방법으로 국회를 출입한 것에 대해 다시 한 번 진심으로 사과드린다”며 “해당 임원은 물의를 빚은데 대해 책임을 지고 사의를 표명했다”고 말했습니다. 삼성전자는 사직서를 즉각 수리했습니다.

 

앞서 류호정 정의당 의원은 지난 7일 산업통상자원부 국정감사에서 “삼성전자 간부가 출입기자로 국회를 방문하고 있다”며 “평일과 추석연휴에도 의원실을 오고갔다”고 말했습니다.

 

해당 임원은 새누리당(현 국민의 힘) 당직자 출신으로 삼성전자 부사장을 지낸 것으로 전해졌습니다. 국회 측은 “사실관계를 파악한 후 적정한 조치를 취할 계획”이라는 입장을 전했습니다.

 

삼성전자도 내부에서 국회 절차의 위반 사례가 있는지 조사 중입니다. 삼성전자는 “잘못된 점이 있으면 바로잡겠다”며 “다시 불미스러운 일이 일어나지 않도록 필요한 조치를 다하겠다”고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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