검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Policy 정책

[2020 국감] 조오섭 의원 “방재시설 미비된 초량 지하차도...‘예견된 인재’”

URL복사

Tuesday, October 13, 2020, 17:10:40

진입차단설비 갖춘 지하차도, 부산에 9개 뿐

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ부산광역시가 지하차도에 방재시설을 갖추지 않아 부산 초량 지하차도 침수 참사를 초래했다는 지적이 나왔습니다.

 

국토교통위원회 소속 조오섭 더불어민주당 의원은 13일 부산에서 열린 부산광역시 국정감사에서 “지하차도 외부에서 빗물이 유입돼 침수되는 만큼 연장거리와 관계없이 지하차도 특성에 맞는 수해 대비 방재시설을 설치해야 한다”고 주장했습니다.

 

조오섭 의원은 방재시설 미비에 따른 사고로 지난 7월 부산 동구의 초량 제1지하차도 사고를 언급했습니다. 당시 이 차도는 집중호우로 물에 잠기면서 3명이 사망하는 사고가 발생했는데요.

 

사고 당시 ‘진입금지 알림 전광판’은 정상작동을 하지 않았고 차량의 추가진입을 막는 진입차단설비는 없었으며 비상 대피 방재설비도 갖춰져 있지 않았습니다. 조 의원은 지난 2014년 동래구 우장춘로 지하차도에서 할머니와 손녀가 침수로 참변을 당했던 사고도 이와 원인은 같다고 지적했는데요.

 

부산시에는 지하차도 45개소가 있고 이중 진입차단설비가 설치된 지하차도는 9개소(31%)에 그쳤습니다. 그마저도 5개소는 수동으로 조작하는 구형인 것으로 확인됐습니다.

 

또 광안대교(센텀시티), 신선대 지하차도를 제외하면 부산 내 U자형 지하차도 27개소는 영상유고감지설비, 비상방송설비, 라디오방송설비, 긴급전화, 피난대피시설 등 방재시설이 전무했습니다.

 

U자형 지하차도는 집중호우 시 배수가 안 돼 침수확률이 높고 도로까지 2차 사고로 확대될 우려가 큰 시설입니다. 이 때문에 감사원도 지하차도 내부 상황 파악을 위한 비상경보설비와 진입차단설비·긴급전화·CCTV 등 경보설비 그리고 비상조명등, 유도등 등 피난 대피시설이 필수적이라고 밝힌 바 있습니다.

 

조오섭 의원은 “부산시에서 발생한 이번 초량 지하차도 참사는 사전대비를 했다면 막을 수 있는 인재였다”며 “기상이변으로 집중호우, 장마 등 수해 피해가 매년 반복되고 있어 위험지역인 지하차도 피해를 막기 위한 필수 방재시설을 강화해야 한다”고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너