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네이버 커넥트재단, AI 집중 교육...‘퍼스트 무버’ 양성한다

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Friday, October 16, 2020, 14:10:30

AI집중 교육 과정 ‘부스트캠프 AI Tech’ 신설..11월에 참가자 모집·내년 1월 중 프로그램 진행

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ네이버 커넥트재단이 AI분야의 ‘퍼스트 무버’ 양성에 나섭니다.

 

16일 비영리 소프트웨어(SW) 교육재단 ‘네이버 커넥트재단(이사장 조규찬)’에 따르면 실무형 AI집중교육 프로그램 ‘부스트캠프 AI Tech’를 신설합니다.

 

이번 ‘부스트캠프 AI Tech’는 재단이 2016년부터 진행하고 있는 실무형 SW집중교육 프로그램 ‘부스트캠프’를 AI교육 중심으로 특성화한 프로그램입니다. 올해 11월 전공과 무관하게 총 400명의 참가자를 모집하고 내년 1월부터 약 5개월동안 진행합니다.

 

커리큘럼은 실무와 유사한 프로젝트, 현업 전문가의 멘토링을 위주로 한 ‘실습형’ 교육과정으로 짜입니다. 네이버 커넥트재단의 실습형 교육은 작년 ‘부스트캠프 2019’ 수료생 중 약 83%가 현업 개발자로 성장하며 그 전문성을 입증한 바 있습니다. 따라서, ‘부스트캠프 AI Tech’ 역시 수료 후 AI 분야서 활약하며 국내 AI산업의 고도화를 이끌 주역을 양성하는 장이 될 것으로 기대됩니다.

 

특히, 참가자는 네이버가 학습용으로 제공하는 국내 최대 규모의 데이터 셋을 활용해 AI모델을 구현해볼 수 있습니다. 데이터의 양이 풍부할수록 다양하고 고품질의 AI모델을 도출할 수 있는 만큼, 이번 프로그램은 참가자들이 기술적 상상력을 제한없이 발휘하고 역량을 기를 수 있는 기회가 될 전망입니다.

 

또한, 국내외 AI분야서 저명한 권위자들이 멘토로 참여해 기대감을 더하고 있습니다. 네이버에서 AI연구·개발을 담당하는 ‘AI LAB’과 ‘클로바CIC’의 책임자급 실무진과 글로벌 AI전문가로 구성된 AI 스타트업 '업스테이지'가 참여해 직접 프로그램의 세부사항을 설계하고 참가자의 실습 결과물을 직접 리뷰하며 성장을 도울 계획입니다.

 

이로써 재단은 ▲코딩 교육플랫폼 ‘엔트리’를 활용해 초,중등학생의 프로그래밍 첫걸음을 돕는 교육 캠페인 ‘소프트웨어야 놀자’부터 ▲비전공자를 대상으로 한 온라인 SW교육 프로그램 ‘부스트코스’ ▲실무형 SW프로그래밍 역량 강화 프로그램 ‘부스트캠프’에 더해 AI 기술 특성화 교육 과정인 ‘부스트캠프 AI Tech’까지 완성도 있는 단계별 SW학습 과정을 구축했습니다.

 

조규찬 네이버 커넥트재단 이사장은 “‘부스트캠프 AI Tech’는 국내 최대 규모의 데이터 셋을 활용하는 AI 프로젝트 경험을 제공해, 참가자가 실무적으로 문제 해결할 수 있는 능력을 체득할 수 있는 프로그램”이라며 “이번 프로그램이 국내 AI산업을 글로벌 최고 수준으로 선도할 주역 양성의 마중물이 되길 바란다”고 말했습니다.

 

한편, 네이버 커넥트재단은 ‘디지털 소외 업는 SW·AI교육 지원’을 표방하며 다양한 교육을 진행해온 결과, 지난 9월에는 고용노동부가 주관하는 ‘2020년 디지털 핵심 실무인재 양성(K-Digital Training)사업’의 공식 훈련기관으로 선정되기도 했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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