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11월부터 실직·폐업자도 대출 상환유예 가능해진다

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Sunday, October 18, 2020, 12:10:00

내달 ‘신용회복지원’ 개정안 시행..취약채무자 재기 지원
코로나 피해자에서 일반채무자로 대상 확대..1년간 유예
미취업 청년 연령 34세로 상향..상환유예기간도 1년 추가

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ내달부터 코로나19 피해자 뿐 아니라 금융권에 연체 우려가 있는 채무자들도 채무조정 신청과 분할상환 연장이 가능해 집니다. 취업을 하지 못한 청년에 대한 지원과 채무조정을 제외한 주택담보대출 등 다른 채무와 관련된 보호절차도 마련됩니다.

 

18일 금융위원회는 제도의 사각지대를 보완하고 취약 채무자가 보다 빠르게 재기 할 수 있도록 신용회복지원제도 개선안을 추가로 마련했습니다. 이를 반영한 ‘신용회복지원협약’ 개정안을 오는 11월 중 시행할 예정입니다.

 

먼저 채무조정에 따른 분할상환 전 상환유예 대상이 확대됩니다. 코로나 피해자 외에 실직, 폐업 등으로 일시적으로 상환능력이 줄어든 일반채무자도 이를 증빙하면 연체기간과 관계없이 최대 1년간 상환유예 신청이 가능해 집니다.

 

지금까지는 30일 이하 연체자와 코로나 피해자에게만 유예 혜택을 적용했습니다. 이에 따라 일시적 소득 감소로 충분한 가용소득이 없는 채무자는 채무조정이 불가능하고 신속한 재기 지원에 한계가 있다는 지적이 제기된 바 있습니다.

 

미취업청년 지원도 강화됩니다. 미취업청년 특례지원 대상 연령을 청년기본법의 범위와 동일하게 만 34세까지로 확대하고, 미취업시 상환 유예기간을 5년으로 상향 조정할 예정입니다.

 

현재 신용복원위원회는 금융채무를 3개월 이상 연체중인 대학생과 만 30세 미만의 미취업청년에게만 채무조정 특례를 지원하고 있습니다. 또 대학생의 경우 재학기간과 졸업 후 취업시까지 4년, 미취업청년의 경우 취업까지 최장 4년을 지원해왔는데 유예이자 면제 기간이 1년 더 늘어납니다.

 

연체채무에 대한 채무조정을 신청한 경우 금융회사가 정상적으로 상환 중인 다른 채무에 대해서도 만기연장을 거절하거나 기한의 이익을 상실시키는 경우가 발생하고 있다는 비판에 따라 채무조정을 제외한 다른 채무 관련해 채무자를 보호할 수 있는 절차도 마련됩니다.

 

주택담보·전세자금대출 등에 대한 만기 연장까지 거절되면 채무자의 주거 안정성이 취약해지고, 변제 계획의 이행이 어려워지기 때문입니다.

 

다만 정상적으로 상환하는 채무자에 한해 적용되며, 연체발생 등 여신거래기본약관에서 정하는 사유에 해당하는 경우에는 기존과 동일하게 기한의 이익은 상실됩니다.

 

채무자의 신청에 따라 채권금융회사가 압류를 해제할 수 있는 길도 열립니다. 채무조정이 확정되고 채무자의 예금 합계액이 압류금지 예금 등의 범위 이내의 경우가 이에 해당합니다. 민사집행법 시행령 상 압류 금지 예금 범위는 개인별 잔액 185만원 이하입니다.

 

현재는 법원에 압류금지채권범위 변경을 신청해 예금을 출금할 수 있으나, 절차가 복잡해 출금하지 못하는 사례가 발생해 왔습니다.

 

이에 따라 채무조정 확정 후 채무자가 전금융기관에 보유 중인 예금잔액 증명을 발급받아 압류해제를 신청하면 채권금융회사가 채무자로부터 수수료를 징구하고 법원을 통해 압류를 해제하게 됩니다.

 

금융위 관계자는 “취약계층의 제도 이용 사각지도를 해소하기 위해 취약채무자 특별면책 지원대상을 확대할 방침”이라며 “이해관계자 의견을 수렴해 만든 개정안을 신복위 의결을 통해 확정할 예정”이라고 말했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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