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[국감 2020] 김상희 부의장 “서울지하철 5G, 3호선·8호선 제일 안 터져”

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Monday, October 19, 2020, 13:10:34

5G 가용률 서울지하철 3호선 26.7%·8호선 26.9%로 평균 76%에 못 미쳐
김상희 부의장 “5G요금 가입 시 5G가용률 이용자에게 공지토록 해야”

 

김상희 부의장 “가용률 실태조사 정례화와 이용자 공지 통해 통신사 스스로 품질 높이도록 유도해야”

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ지난 한 해 동안 누적 이용자 수 27억명을 기록한 서울지하철 일부 호선의 5G 가용률이 현저하게 낮은 것으로 나타났습니다. 5G 이용자의 서비스 체감도 향상을 위해서 통신사의 품질 개선이 필요하다는 지적입니다.

 

19일 국회 김상희 부의장(과학기술정보방송통신위원회, 경기 부천병)이 과학기술정보통신부(이하 과기부)로부터 제출받은 자료에 따르면, 서울지하철 3호선과 8호선의 5G 가용률은 각각 26.74%와 26.96%로 전체 지하철 평균 가용률인 76.33%에 크게 못 미치는 것으로 확인됐습니다.

 

특히 서울지하철 3호선의 5G 가용률은 5G 커버리지 전체 점검 대상 호선 중 최하위를 기록했습니다.

 

또한 해당자료에 따르면, LGU+의 5G 가용률은 2호선 48.73%, 3호선 11.13%, 8호선 6.65%로 통신3사 중 가장 낮은 수치를 기록한 것으로 나타났습니다.

 

김상희 부의장은 “국민의 발로 불리는 서울지하철에서 5G 가용률 편차가 상당히 큰데, 이는 5G 품질이 일정 수준 이상에 도달하지 못했음을 여실히 보여주는 것”이라고 지적습니다.

 

이어 “통신3사는 5G 요금제 가입을 안내하면서 이용자 가입 지역과 관련 대중교통에 대한 5G 가용률 및 커버리지 등을 약관으로 고지하여 5G 이용자를 보호해야 한다”고 강조했습니다.

 

 

김상희 부의장은 전기통신사업법 제56조를 들며 “과기부 장관은 통신 품질을 개선하고 이용자 편익을 증진하기 위해 필요한 시책을 마련해야 할 법적 의무가 있다”고 말했습니다.

 

아울러 김상희 부의장은 “과기부가 지하철 전체 호선이 아닌 일부만을 대상으로 5G 커버리지를 조사한 것으로 알고 있다”며 “커버리지 점검 대상을 전체 호선으로 확대할 필요가 필요가 있다”고 지적했습니다.

 

이어 “5G 가용률 실태조사를 정례화해 변화추이를 면밀하게 살필 필요가 있다”며 “통신사 스스로가 5G 품질을 높일 수 있도록 유도해 궁극적으로는 5G 가입자의 서비스 만족도를 높여야 할 것”이라고 강조했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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