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[이건희 별세] 이건희 회장 입관식 진행...장충기·김기남·권오현 등 삼성 사장단 조문

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Monday, October 26, 2020, 10:10:40

26일 오전 9시경 이건희 회장 원불교식으로 입관식 진행..장충기 전 사장 가장 먼저 조문
김기남 부회장·권오현 삼성 고문 등 장례식장 도착..본격적인 정재계 조문 이어질 듯

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ고(故)이건희 삼성그룹 회장의 입관식이 26일 오전 진행됐습니다. 이 회장은 지난 25일 서울 강남구 삼성서울병원에서 향년 78세로 별세했습니다.

 

26일 이건희 회장 입관식은 부인 홍라희 전 리움미술관장, 자녀 이재용 삼성전자 부회장, 이부진 호텔신라 사장, 이서현 삼성복지재단 이사장 등 가족들이 참석한 가운데 오전 9시부터 원불교식으로 진행됐습니다.

 

입관식 이후 삼성 임원과 외부인 등 본격적인 조문이 시작됩니다. 26일 오전 9시 20분경 장충기 삼성 미래전략실 차장(사장)이 먼저 빈소를 찾았습니다. 장 전 사장은 마스크를 쓴 채로 굳은 표정을 한 채 아무말 없이 취재진을 지나갔습니다.

 

이어 9시 30분경 김기남 삼성전자 부회장이 빈소를 찾았습니다. 김 부회장 역시 흰색 마스크를 쓴 채로 서둘러 빈소가 있는 지하 2층으로 내려갔습니다. 이 회장의 조카인 조동길 한솔그룹 회장, 권오현 삼성 고문도 차례로 빈소를 찾았습니다.

 

앞서 삼성은 “이 회장의 장례를 ‘가족장’으로 간소하게 치러 조문과 조화를 받지 않겠다”고 알렸지만, 정치권과 정재계에서 조문이 이어졌습니다.

 

이재용 삼성전자 부회장은 빈소가 차려지기 전인 오후 5시경 아들, 딸과 함께 삼성서울병원 장례식장을 찾았습니다. 장례식장 로비에 마련된 전자출입명부를 작성하고, 장레식장 지하로 내려갔습니다. 홍라희 여사와 함께 이부진, 이서현 등 두 딸도 빈소를 지켰습니다.

 

 

지난밤에도 정재계 인사들의 조문 행렬이 이어졌습니다. 청와대 노영민 비서실장과 이호승 경제수석이 조문을 와서 유가족에 문재인 대통령의 애도의 메시지를 전달했습니다.

 

문 대통령은 “한국 재계의 상징이신 고 이건희 회장의 별세를 깊이 애도하며 유가족분들께 심심한 위로의 말씀을 전한다”며 “이건희 회장은 도전적이고 혁신적인 리더십으로 반도체 산업을 한국의 대표 산업으로 성장시켰다”고 말했습니다.

 

이재명 경기도지사도 빈소를 찾았습니다. 이 지사는 “조문 말씀을 드리려고 왔다”며 “어쨌든 한 시대의 별이신데, 명복을 빈다”고 말했습니다.

 

재계에서도 서둘러 장례식장을 찾아 조문했습니다. 현대가인 정몽윤 현대해상화재보험 회장과 정몽규 HDC그룹 회장이 빈소를 방문했습니다. 조카인 이재현 CJ회장도 가족과 함께 장례식장을 찾았습니다.

 

장례는 4일장으로 발인은 28일 오전이며, 장지는 용인 선영으로 알려졌습니다.

 

한편, 이건희 회장 장례식장 앞에는 ‘코로나19’ 확산 방지를 위해 실내 50인 이상 모이는 것을 금지하고 있습니다. 빈소가 마련된 지하 2층에 ‘기자들의 출입이 제한된다’는 내용의 안내문이 부착해 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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