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[이건희 별세] 발인 하루 앞두고...재계·문화예술계 애도 이어져

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Tuesday, October 27, 2020, 17:10:49

정·재계 및 문화예술계 등 각계각층서 애도 행렬

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 고(故) 이건희 삼성전자 회장 장례 사흘째 되는 날에도 정·재계 인사들의 조문이 잇따랐습니다. 발인을 하루 앞두고 문화·체육계 주요 인물들도 고인을 애도하기 위해 장례식장을 찾았습니다.

 

27일 이건희 회장 빈소가 마련된 서울 강남구 삼성서울병원에는 오전부터 각계 조문이 이어졌습니다. 이날 가장 먼저 빈소를 찾은 이는 원불교 최고지도자인 전산 김주원 종법사였습니다. 고인 영정 앞에서 법문을 읽었다고 전해졌습니다.

 

이어 구광모 LG그룹 회장을 비롯해 구자열 LS그룹 회장과 구자용 E1 회장, 구자균 LS일렉트릭 회장 등 범LG가 인물들이 애도 행렬에 동참했습니다. 정태영 현대카드 사장과 박용성 전 두산그룹 회장, 최정우 포스코 회장, 김택진 엔씨소프트 대표 등 경제계 인사들의 발길도 이어졌습니다.

 

 

황각규 전 롯데지주 부회장은 전날에 이어 이틀 연속으로 추모를 위해 빈소를 방문했습니다. 황각규 부회장은 고인에 대해 “위대한 업적을 남기신 분”이라며 “많은 나라에 다니시며 여러 가지 경험을 하고 대한민국 경제를 어떻게 잘 일굴 것인가에 대해 좋은 지표도 많이 말씀해주셨다”고 회상했습니다.

 

최태원 SK그룹 회장의 사촌인 최철원 전 마이트앤메인(M&M) 대표는 “어린 시절부터 고인과 인연이 있었다”며 “대한민국 정부가 국민장으로 장례를 치러주시는 것이 좋았을 것”이라고 했습니다.

 

정계와 문화계에서도 조문이 잇따랐습니다. 어제에 이어 심재철 전 국회부의장이 빈소를 찾았으며 원유철 전 미래한국당 대표, 김홍업 전 의원, 권노갑 전 의원, 이홍구 전 국무총리, 송철호 울산시장 등이 유가족을 위로했습니다.

 

김홍업 전 의원은 “(고인이) 저희 부친 조문도 해주셨고 부회장께서는 어머니상에 조문해주셨다”며 “제가 와서 조문하는 것이 도리이고 해서 찾아왔다”고 말했습니다. 심재철 전 국회부의장은 “우리나라 경제의 핵심이 쓰러지니 참 안타깝다”고 애도했습니다.

 

제40대 국무총리를 지낸 정운찬 한국야구위원회(KBO) 총재도 고인의 빈소에 들렀습니다. 그는 “(유족에게) 새로운 시대를 열라고 응원했다”며 “이건희 회장께서는 교육, 특히 대학에 관심이 많으셨다. 제가 서울대학교 총장을 할 때 천문학적 지원을 해주셨다”고 했습니다.

 

박영선 중소벤처기업부 장관도 빈소를 찾아 “30여 년 전 대한민국의 먹거리를 반도체로 선택했다는 통찰력이 글로벌 삼성을 만들었다고 생각한다”며 “통찰력을 높게 평가한다”고 말했습니다.

 

이날 문화·예술계 인사들과 외교가에서도 추모 행렬에 동참했습니다. 추머 모세 주한헝가리 대사, 미하엘 라이펜슈톨 주한독일대사, 후안 이그나시오 모로 주한 스페인 대사 등 외국 대사들이 자국을 대신해 애도의 뜻을 전했습니다.

 

정경화 바이올리니스트와 조성진 피아니스트도 고인을 추모했습니다. 지난 1996년 국제올림픽위원회(IOC) 위원으로 활동한 고인인 만큼 이기홍 대한체육회장도 장례식장을 방문했습니다.

 

이기홍 대한체육회장은 “고인께서는 스포츠에 특히 관심을 많이 가져주셨다”며 “IOC에서도 어제부터 조기를 달았고 공헌한 바가 크셔서 직접 가서 상주님들께 위로의 뜻을 전해달라는 IOC위원장 부탁이 있었다”고 했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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