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[이건희 별세] ‘재계의 큰 별’ 이건희, 수원서 영원히 잠들다

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Wednesday, October 28, 2020, 09:10:50

25일 별세 후 4일 가족장 치러..오전 7시 30분 발인 엄수로 장례절차 마무리
이건희 회장 한남동→승지원→화성사업장 거친 후 수원 장지로 향해

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ고(故) 이건희 삼성그룹 회장의 발인이 28일 오전 7시 30분에 삼성서울병원 장례식장에서 엄수됐습니다.

 

지난 25일 별세한 이 회장의 장례는 유족의 뜻에 따라 가족장 형태로 비공개 4일장으로 치러졌습니다. 가족장으로 치러진 만큼 영결식도 장례식장 내에서 비공개로 진행됐습니다.

 

앞서 삼성 측은 “영결식 등 발인 절차도 유가족의 뜻에 따라 이뤄질 것”이라며 “다만 가족장인 만큼 간소하게 진행될 것으로 안다”고 말했습니다.

 

상주인 이재용 삼성전자 부회장, 홍라희 전 리움미술관장, 이부진 호텔신라 사장, 이서현 삼성복지재단 이사장 등 소수 직계 가족과 친척들만 참석한 가운데, 영결식을 진행하고 발인에 들어갔습니다.

 

아침 일찍 시작된 영결식에 참석하기 위해 이명희 신세계그룹 회장 등은 오전 7시 10분경 삼성서울병원 암센터를 통해 장례식장에 들어간 것으로 알려졌습니다.

 

1시간여에 걸친 발인식이 끝난 오전 9시 50분경 이건희 회장의 운구차량이 장례식장을 빠져나왔습니다. 운구 차량은 고인의 발자취를 되짚는 주요 장소를 들른 후 장지로 이동할 예정입니다.

 

 

용산구 한남동 이건희 회장 자택과 이태원동 승지원(承志園) 을 거쳐 화성 사업장을 들러 임직원들과 마지막 인사를 나눈 후 장지로 향합니다. 특히 승지원은 선대 이병철 회장의 집을 개조해 만든 삼성그룹의 영빈관으로 생전 이건희 회장의 집무실로 사용한 곳입니다.

 

화성·기흥 사업장은 이건희 회장이 1984년 기흥 삼성반도체통신 VLSI공장 준공식을 시작으로 4번의 행사에 참석할 정도로 애착이 큰 곳입니다.

 

이 회장은 화장 후 안치되며, 장지는 故이병철 회장과 박두을 여사 조부모 등 윗대를 모신 수원에 있는 가족 선영에 묻힐 예정입니다.

 

◇ 1987년 회장 취임 후 27년간 리더..‘세계의 삼성’ 만들어

 

이 회장은 1942년 1월 9일 대구에서 호암 이병철 삼성그룹 창업주의 8남매 중 셋째 아들로 태어났습니다. 출생 직후 대구에서 사업을 하는 부모와 떨어져 경남 의령에서 한동안 할머니 손에서 자랐습니다.

 

이후 서울로 옮겨 초등학교에 입학했는데, 6.25 전쟁으로 다섯번을 전학했고, 5학년때 일본으로 건너가 유학을 하기도 했습니다.

 

이 회장은 잘 알려지다시피 영화 마니아입니다. 영화뿐만 아니라 자동차(전자제품), 운동, 애견 등에도 남다른 관심을 보였습니다. 특히 이 회장의 애견에 대한 사랑이 이어져 훗날 삼성그룹은 국내에서 최초로 1993년 안내견 학교를 설립하기도 했습니다.

 

 

1966년부터 이 회장은 본격적인 경영 수업을 받았습니다. 동양방송에 입사한 후 1968년 중앙일보와 동양방송 이사를 시작으로 1978년 삼성물산 부회장, 1980년 중앙일보 이사 등을 거쳤습니다. 1987년 이병철 창업주가 별세하던 해에 삼성그룹 회장에 올랐습니다.

 

회장에 취임한 지 5년 만에 독일 베를린에서 삼성의 ‘신경영’을 선언했고, 삼성을 ‘한국의 삼성’에서 ‘세계의 삼성’으로 성장시켰습니다.

 

취임 당시 10조원이었던 매출액은 2018년 387조원으로 약 39배 늘었으며, 이익은 2000억원에서 72조원으로 359배, 주식의 시가총액은 1조원에서 396조원으로 무려 396배나 증가했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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