검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업 People Plus 人+

[이건희 별세] “영원히 기억하겠습니다”…3000송이 국화로 마지막 배웅한 임직원들

URL복사

Wednesday, October 28, 2020, 17:10:25

고 이건희 회장 운구 행렬 리움 미술관·한남동 자택·승지원 둘러본 후 화성사업장 향해
임직원들 3000송이 국화 준비·협력사 직원 등도 추모..25분간 머물고 수원 선산에 영면

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ28일 오전 9시경 삼성서울병원 장례식장을 떠난 고(故) 이건희 회장 운구 차량은 가장 먼저 한남동으로 향했습니다. 한남동 리움미술관과 이건희 회장의 자택과 집무실로 이용한 이태원동 승지원을 차례로 돌았습니다.

 

앞서 엄숙된 영결식은 이재용 삼성전자 부회장, 홍라희 전 리움미술관장, 이부진 호텔신라 사장, 이서현 삼성복지재단 이사장, 사위 김재열 삼성경제연구소 사장,이명희 신세계그룹 명예회장, 이재현 CJ그룹 회장 등 직계 가족이 참석했습니다.

 

영결식은 이수빈 삼성 상근고문(전 삼성생명 회장)의 약력보고를 시작으로 김필규 전 KPK 회장(이건희 회장 고교 동창)의 추모 영상 상영, 참석자 헌화 순으로 진행됐습니다.

 

발인에는 전현직 삼성 사장단이 함께 했습니다. 이건희 회장을 지근거리에서 보좌한 최지성 전 삼성 미래전략실장, 김기남 삼성전자 부회장, 권오현 상임고문, 이인용 사장, 이학수 전 삼성그룹 부회장 등이 고인의 마지막 모습을 지켜봤습니다.

 

고(故) 이건희 회장 운구 차량은 곧바로 서울을 빠져나가 삼성전자 메모리 반도체 세계 1등 역사를 세운 화성 사업장으로 향했습니다. 이날 오전 11시부터 약 25분간 화성사업장을 들렀습니다.

 

삼성에 따르면 도착 2시간 전부터 많은 임직원들이 나와 회사에서 준비한 3000여 송이의 국화를 받아 들고, 약 2Km에 달하는 화성캠퍼스 안 도로 양편에 4~5줄로 늘어섰습니다.

 

 

오전 11시경 운구행렬 도착 직전에는 라인근무자 등 더 많은 임직원들이 나와, 곳곳에서 고인의 마지막 출근길을 지켜봤습니다.

 

고인이 2010년과 2011년 기공식과 준공식에 직접 참석해 임직원들을 격려했던 16라인 앞에서는 이재용 부회장 등 유가족들이 모두 하차했습니다.

 

이곳에서 과거 16라인 방문 당시의 동영상이 2분여 상영됐고, 방진복을 입은 남녀직원이 16라인 웨이퍼를 직접 들고 나와 고인을 기렸습니다. 유가족들은 버스 탑승 전 임직원들에게 고개 숙여 깊은 감사를 표시했습니다. 몇몇 임직원들은 고인의 마지막 길을 지켜보며 눈시울을 붉히기로 했습니다.

 

이 자리에는 전현직 주요 경영진과 임원들, 수천여명의 직원들 뿐 아니라 협력사 직원들도 함께 나와 고인을 배웅했습니다. 육아휴직 중임에도 직접 나온 임직원도 있었고, 인근 주민들도 나와 고인과 작별인사를 했습니다.

 

 

고인은 2004년 반도체 사업 30주년 기념 행사를 포함, 2003년, 2010년, 2011년 등 화성캠퍼스에 4차례 방문한 바 있습니다.

 

이후 운구 차량은 수원 장지로 향했습니다. 수원에 있는 선산은 이병철 선대 회장의 부모와 조부가 묻힌 곳입니다. 이 회장은 1시간 가량의 장례 절차가 끝난 뒤 모역에 안장돼 영면에 들어갔습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너