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[다음주 분양] 20단지 9488가구 분양...‘과천 푸르지오어울림 라비엔오’ 外

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Saturday, October 31, 2020, 06:10:00

인더뉴스 이재형 기자ㅣ오는 11월 첫째 주는 전국 20개 단지서 총 9488가구(일반분양 9192가구)의 청약 접수를 진행합니다.

 

부동산114에 따르면 다음 주 청약은 ▲2일(월) ‘아산 칸타빌 센트럴시티’ 등 1곳 ▲3일(화) ‘과천 푸르지오어울림 라비엔오’ 등 10곳 ▲4일(수) ‘감일 푸르지오 마크베르’ 등 5곳 ▲6일(금) ‘수유동 북악산 스카이뷰’ 등 4곳 순입니다.

 

견본주택은 경기 화성시 반정동 ‘반정아이파크캐슬’, 경기 여주시 천송동 ‘여주서해스카이팰리스’, 대구 북구 침산동 ‘더샵프리미엘’ 등 6개 사업장에서 개관을 준비 중입니다. 

 

 


11월 첫째 주 주요 청약 접수 단지

 


 

 

경기 과천시 갈현동 지식정보타운 일원

 

3일 대우건설 컨소시엄은 경기 과천시 갈현동 지식정보타운에 들어서는 ‘과천 푸르지오어울림 라비엔오’의 청약 접수를 받습니다. 

 

단지는 지하 2층~지상 35층, 7개 동, 전용면적 84~120㎡, 총 679가구 규모로 조성됩니다. 

 

전용면적별 세대수는 ▲84B㎡ 90세대 ▲84C㎡ 55세대 ▲84D㎡ 162세대 ▲84E㎡ 81세대 ▲99A㎡ 188세대 ▲99B㎡ 73세대 ▲105A㎡ 20세대 ▲120A㎡ 10세대입니다. 

 

과천지식정보타운 내에서 같이 공급되는 ‘과천르센토데시앙’, ‘과천푸르지오오르투스’와 청약 날짜는 같지만 발표일은 달라 중복 청약이 가능합니다.

 

 

4일 HDC현대산업개발과 포스코건설은 경북 구미시 원평동에 들어서는 ‘구미 아이파크 더샵’의 청약접수를 받습니다. 

 

원평1구역 주택재개발정비사업을 통해 조성되는 이 단지는 지상 최고 42층, 12개 동, 전용면적 39~101㎡, 총 1610가구(일반분양 1314가구) 규모입니다. 도보 거리에 구미초교가 있고 구미여중, 구미고, 경북외고 등 명문학군과 경상북도교육청 구미도서관이 있습니다. 

 

생활인프라는 구미시청과 구미차병원, 구미새마을중앙시장, 올림픽기념 국민생활관, 구미시복합스포츠센터 등이 인근에 있습니다. 단지 인근 구미중앙로와 산업로를 통해 삼성전자, LG전자, LG이노텍, LS전선 등 기업이 입주한 구미국가산업단지로 출퇴근할 수 있습니다.

 

 

6일 HDC현대산업개발과 롯데건설은 경기 화성시 반정동 일원에 들어서는 ‘반정 아이파크캐슬’의 청약접수를 받습니다.

 

이번 분양에선 4단지와 5단지의 총 2곳을 공급합니다. 4단지는 지하 2층~지상 17층, 14개 동, 전용면적 59~105㎡, 986가구 규모로, 5단지는 지하 3층~지상 19층, 20개 동, 전용면적 59~156㎡ 1378가구 규모로 조성됩니다. 

 

단지와 수원 영통생활권을 공유해 롯데마트(권선점), 이마트(수원점), NC백화점(수원점), 수원수산시장을 이용할 수 있습니다. 교육시설은 망포4지구에 초등학교 부지가 계획돼 있어 향후 도보 통학이 가능할 전망이며 영통 학원가가 인근에 있습니다. 분당선 망포역, 매탄권선역을 이용할 수 있고 KTX경부선·1호선·수인선 환승역인 수원역과 가깝습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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