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제3인터넷은행 재추진...한차례 고배마신 토스·키움 재도전하나

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Wednesday, July 17, 2019, 14:07:39

키움증권·토스 “재도전 여부 미정..기존 컨소시엄은 해산”
금융당국, 업체에 컨설팅 제공·외부평가위원회와 소통 강화

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ금융당국이 제3인터넷전문은행 예비인가 재추진 일정을 발표한 가운데 지난 5월 심사에서 탈락한 키움증권과 토스가 다시 도전장을 내밀지 관심이 쏠리고 있다.

 

금융위원회는 지난 16일 인터넷전문은행 신규 인가를 재추진하기로 결정했다며, 오는 10월 10일부터 15일까지 신청을 받는다고 밝혔다. 예비심사 결과는 신청일로부터 60일이내, 본인가 심사결과는 본인가 신청 후 1개월 이내 각각 발표된다.

 

토스와 키움증권은 인터넷은행 신규 인가 재추진과 관련해 신중한 입장을 보이고 있다.

 

토스를 운영하는 비바리퍼블리카 관계자는 “인터넷은행 재추진 여부는 논의 중인 사항으로 현재는 공식적으로 밝힐 단계가 아니다”고 말했다.

 

앞서 토스(지분 60.8%) 주도로 출범한 토스뱅크 컨소시엄은 알토스벤처스(실리콘밸리 기반 벤처캐피털), 굿워터캐피털(영국 챌린저뱅크(소규모 특화은행) 몬조의 투자사) 등과 인터넷은행 예비인가에 도전했다. 토스뱅크는 지배구조의 적합성, 자금 조달 능력이 부족하다는 이유로 심사에서 떨어졌다.

 

키움증권 관계자는 “인터넷은행 인가 신청에 다시 참여할지 말지 자체가 결정되지 않은 상황”이라며 조심스러운 입장을 보였다.

 

컨소시엄에 대해서는 “컨소시엄 주주들과 함께 꾸린 태스크포스(TF)는 해산한 상태”라며 “TF는 제3인터넷전문은행 예비인가 신청을 위한 것이기 때문에 재도전 여부에 따라 결정될 것 같다”고 말했다.

 

키움증권은 2015년부터 인터넷은행 진출에 공을 들여왔다. 지난 5월엔 키움증권(지분율 25.63%)을 주축으로 KEB하나은행, SK텔레콤, 롯데멤버스 등과 키움뱅크 컨소시엄을 구성해 제3인터넷은행 예비 인가전에 뛰어들었다. 그러나 사업계획의 혁신성, 실현 가능성 측면에서 미흡했다는 평가를 받으며 탈락했다.

 

금융당국은 인가 심사의 공정성을 높이기 위해 인가와 관련된 기존 틀은 유지한다는 방침이다. 최대 2곳까지 인가하고 인터넷전문은행법에 따른 모든 업무를 허용한다. 다만 외부평가위원회 운영방식 등 일부 체제는 변경하기로 했다.

 

인가 신청자에게 금융감독원이 인가절차 전 과정을 상담·안내하는 컨설팅을 제공하고 외부평가위원회 평가과정에서 신청자에게 충분한 설명기회를 제공할 예정이다. 필요할 때는 외부평가위원장이 금융위 전체회의에 참석해 심사취지 등을 전달하게 된다.

 

전요섭 금융위 은행과장은 “기본 원칙은 지난해 말에 발표한 기준을 유지하기로 했다”며 “재벌 집단(상호출자제한기업집단)만 아니라면 누구나 인터넷은행의 경영 주체가 될 수 있다. 당장은 어느 업체가, 몇 곳이나 들어올지 알 수 없는 만큼 창구를 열고 충분히 설명해 새 신청자들도 불리하지 않도록 할 것”이라고 강조했다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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