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한국은행, 3년 만에 기준금리 인하...연 1.50%

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Thursday, July 18, 2019, 10:07:36

8월 인하 예상 뒤집고 0.25%p 내려
성장 둔화·한일 갈등 장기화 등 우려

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ한국은행 (이하 한은) 기준 금리가 연 1.50%로 전격 인하됐다.

 

18일 한국은행 금융통화 위원회는 이주열 총재 주재로 통화 정책방향 결정 회의를 열어 기준 금리를 1.75%에서 0.25%포인트 내렸다.

 

한은이 금리를 인하한 건 조선업 구조정이 있었던 2016년 6월 이후 3년 만이다. 수출여건이 하반기에도 개선될 가능성이 크지 않다는 판단 아래 선제적인 경기부양에 나선 것으로 풀이된다.

 

당초 시장에서는 7월보다는 8월 인하 가능성이 더 높다고 예상했다. 한은이 금리인하에 신중함을 기해온 만큼 반도체 경기개선과 미·중 무역협상 여부를 확인할 것이라는 예상이 많았다. 또 이달 말 열리는 미국 연방공개시장위원회 (FOMC) 역시 확인해야 할 변수로 언급됐다.

 

그러나 금리인하 시기가 예상보다 앞당겨진 것은 올해 우리나라 경제성장률이 당초 전망을 크게 밑돌기 때문으로 추정된다.

 

한은은 지난 4월 올해 성장률을 2.5%로 전망했다. 그러나 1분기 역성장(-0.4%)에 이어 2분기 반등 효과도 기대에 못 미쳤으리라는 게 대체적 관측이다. 기준금리를 계속 동결하기에는 성장 둔화가 심각하다고 판단했을 수 있다.

 

수출·투자·내수 부진에 고용 회복이 견고하지 못한 가운데 일본이 우리나라에 대한 반도체·디스플레이 핵심소재 수출을 막은 것도 금리인하 요인으로 꼽힌다. 일본의 수출 규제로 반도체 등 주력산업이 타격을 입고, 한일 갈등에 따른 불확실성이 장기화할 공산이 커지자 한은도 금리인하로 대응하지 않을 수 없었다는 것이다.

 

미국 연방준비제도(Fed)는 이달 금리인하를 기정사실화 한 것도 한은의 금리인하 부담을 덜어줬다. 제롬 파월 미 연준 의장은 지난 16일 프랑스 파리에서 열린 컨퍼런스에서 "많은 연방공개시장위원회 위원들이 완화적인 통화정책의 근거가 더욱 강해졌다고 판단하고 있다"고 언급해 금리인하 가능성을 강조했다.

 

한은은 선제적으로 금리를 인하하면서 올해 성장률 전망치도 대폭 하향 조정될 것으로 보인다. 당초 정부의 전망치(2.4~2.5%)보다 소폭 낮은 2.3~2.4%로 예상됐는데 그보다 낮은 2% 초반대를 제시할 가능성도 있다는 분석도 있다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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