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삼성전자, ‘12Gb LPDDR5’ 양산...프리미엄 시장 선점

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Thursday, July 18, 2019, 15:07:20

기존 D램보다 1.3배 빨라..44GB 처리에 1초 소요
AI·머신러닝 연산 구현하면서 배터리 소모 최소화

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ삼성전자가 영화 12편을 1초 만에 다운받을 수 있는 수준의 모바일 D램으로 차세대 스마트폰 메모리 시장을 선도한다.

 

삼성전자가 5세대(5G) 이동통신 시대에 맞춰 역대 최고 속도를 구현한 ‘12Gb(기가비트) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램’을 세계 최초로 양산했다고 18일 밝혔다. 12GB(기가바이트) LPDDR4X 모바일 패키지 양산을 시작한 지 5개월 만이다.

 

삼성전자는 이달 말부터 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개를 탑재한 ‘12GB LPDDR5 모바일 D램’ 패키지를 양산해 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점하고 공급 확대 요구에 빠르게 대응해 나간다는 전략이다.

 

 

이번에 양산하는 모바일 D램은 현재 하이엔드 스마트폰에 탑재되는 기존 모바일 D램(LPDDR4X· 4266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5500Mb/s 속도로 동작한다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현하면 풀HD급 영화(3.7GB) 약 12편 용량인 44GB 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다.

 

또한 초고속 모드에서 저전력을 구현하도록 새로운 회로 구조를 도입했다. 기존 제품보다 소비전력이 최대 30% 적다. 이번 양산으로 초고화질 영상 촬영, 인공지능(AI)과 머신러닝(ML)을 구현하면서도 배터리 사용 시간은 길어진 ‘모바일 D램 솔루션’을 제공할 수 있다.

 

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM 개발실 부사장은 “현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축하게 됐다”며 “차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 높인 라인업을 출시해 프리미엄 메모리 시장을 성장시킬 것"이라고 말했다.

 

한편, 삼성전자는 글로벌 고객 수요에 맞춰 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램 본격 양산 체제 구축을 검토하고 있다. 또한 이번 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 이어 향후 용량과 성능을 더욱 높인 16Gb LPDDR5 D램도 선행 개발한다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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