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역대 최대 종부세, 내년 더 올라...野 “5년 뒤 85㎡ 서울 아파트 다 종부세” 경고

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Thursday, November 26, 2020, 17:11:38

올해 종부세 74만 4000명 대상 4조 2687억 책정
내년 세율 최대 2배 증가..野, 조세 부담 경고

인더뉴스 이재형 기자ㅣ주택 가격 급등에 시장가액 비율 인상까지 겹치면서 올해 종합부동산세(종부세) 규모가 역대 최고치를 경신했습니다. 내년에는 여기서 세율까지 올라 세 부담을 우려하는 목소리가 높은 가운데, 야당에서는 5년 뒤 서울 아파트 대다수가 종부세 대상이 될 것이라는 분석을 내놓았습니다.

 

25일 국세청은 올해 66만 7000명에게 1조 8148억원의 주택분 종부세를 고지했습니다. 작년보다 대상자는 14만 7000명(28.3%), 세액은 5450억원(42.9%) 더 늘었습니다.

 

또 토지에 부과되는 부과분까지 합친 전체 종부세 대상은 74만 4000명, 세액은 4조 2687억원입니다. 종부세액이 4조원을 넘어선 건 올해가 처음으로, 올해 사상 최대치를 기록할 것으로 전망됩니다.

 

종부세 규모가 증가한 이유로는 주택 가격이 급등한 가운데, 정부가 조세의 기준인 공시가격의 시세반영률(현실화율)과 ‘공정시장가액 비율’을 올린 영향입니다.

 

종부세는 공시가격을 기준으로 주택은 6억원 이상, 토지는 5억원 이상 보유할 경우 내야 하는데요. 일단 부동산 시세와 공시가격이 모두 오르면서 종부세 재산 기준을 충족한 인구가 늘었고, 여기에 곱해 과세표준을 산출하는 공정시장가액 비율이 85%에서 90%로 인상된 겁니다.

 

 

내년부터는 종부세율도 인상되면서 부동산 시장에서는 세 부담을 우려하는 목소리가 커지고 있습니다. 전 구간의 세율이 오르지만 특히 주택을 3채 이상 보유하거나 조정대상지역 주택을 2채 이상 보유한 경우 세율이 2배까지 증가할 전망입니다.

 

한편 26일 유경준 국민의힘 의원(전직 통계청장)은 앞으로 5년 뒤에는 서울의 전용면적 85㎡(25평) 이상 모든 아파트가 종부세 대상이라는 분석도 나와 불안감은 한층 고조되고 있습니다. 지난 5년간(2016~2020년) 평균 주택 가격 상승률이 유지되고, 공시가격 현실화율이 정부 로드맵대로 추진될 경우를 가정한 데이터인데요.

 

분석에 따르면 5년 뒤에는 8개 서울 자치구(광진구·마포구·성동구·용산구·동작구·송파구·양천구·영등포구)의 전용 85㎡ 아파트가 종부세 대상이 됩니다. 현재 85㎡ 아파트가 종부세 대상인 자치구는 강남구와 서초구뿐입니다.

 

전문가들은 정부가 종부세 등 보유세를 올린 게 무주택자의 내 집 마련 기회로 이어지려면 다주택자의 조세 부담을 강화한 데 이어 거래세는 내려 매도를 유인해야 한다고 지적합니다.

 

송승현 도시와경제 대표는 “보유세를 올리는 큰 그림에는 동의하나 경제성장이 더딘 만큼 속도조절을 할 필요가 있다”며 “또 보유세와 거래세가 같이 오르다보니 다주택자가 집을 증여하는 경우가 늘었다. 건전한 자산의 순환을 위해 출구전략을 만들어줄 필요가 있다”고 말했습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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