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쌍용차, 자율주행차 ‘레벨3’ 임시운행 허가 취득…시험 주행 시작

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Monday, November 30, 2020, 14:11:57

12월부터 코란도 기반 자율주행 자동차 고독소로 시범 운영

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 쌍용자동차가 국토교통부로부터 자율주행 자동차 ‘레벨3’ 임시운행 허가를 추가로 취득하고 다음 달부터 일반도로에서 시험 주행을 시작합니다.

 

30일 쌍용차에 따르면 임시운행 허가를 받은 자동차는 코란도 기반 자율주행 자동차로 지난 2017년 티볼리 에어 기반 자율주행자동차에 이어 2번째 차량입니다. 국토교통부는 지난 2016년 2월 시험·연구 목적 자율주행 자동차 임시운행 허가 제도를 도입해 실시하고 있으며 레벨3은 일상적인 상황에서 고속도로 등 일정구역을 자율주행 할 수 있는 수준을 말합니다.

 

코란도 기반 자율주행차는 차선 유지 및 변경, 차간 거리 및 속도 유지 기능이 있습니다. 또 고속도로 고정밀지도(HD map)와 정밀측위 정보를 기반으로 톨게이트와 톨게이트 구간을 최고제한속도를 준수하며 주행하도록 설계됐습니다.

 

톨게이트구간 주행은 목적지에 따라 고속도로 분기점(JC)과 나들목(IC) 진·출입 주행을 수행할 수 있어야 합니다. 쌍용차는 램프구간 곡선구간 진입 시 사전에 주행속도를 줄이고 안전속도를 유지할 수 있도록 주행 안정성 확보와 함께 기계적 이질감을 줄이는 부분에 심혈을 기울였다고 강조했습니다.

 

코란도 자율주행차는 분기점과 나들목 진입을 위해 차량 주변 교통상황을 분석하고 차선을 변경하며 전방 저속 차량을 추월하는 기능도 갖췄습니다. 차선 변경 시 사각지대에서 장애물 위험이 감지될 경우 운전자 경고 알림 및 차선 변경 정지와 복귀기술을 적용해 안전성을 강화했습니다.

 

시스템 고장이나 돌발상황 발생 시 운전자가 차량을 제어할 수 있도록 시각 및 청각 알림(운전자 제어권 전환요구)을 발생시킵니다. 일정 시간 동안 운전자 제어권이 전환되지 않는 경우 위험 최소화 운행(Minimal Risk Manoeuvre)을 시스템 스스로 시작합니다.

 

쌍용차는 지난 2014년 자율주행 관련 연구 개발을 시작해 이듬해 자율주행 자동차 시연 행사를 진행했습니다. 2017년에는 티볼리 자율주행차로 국토교통부가 주관한 국내 최초 도로 인프라와 통신을 통한 지능형교통시스템 자율주행 기술 시연에 성공하는 등 개발에 박차를 가하고 있습니다.

 

쌍용차 관계자는 “임시운행 허가를 받은 코란도 자율주행차는 자율주행 레벨3 양산 기술에 한 걸음 더 가까워진 안전성과 신뢰성을 갖추고 있다”며 “앞으로도 차세대 및 친환경 자동차 기술개발 강화를 통해 미래 성장동력을 확보하고 급변하는 글로벌 자동차 시장에 대응해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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