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과기부, ‘중장기 6G 연구개발사업’ 공청회 열어

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Friday, July 19, 2019, 11:07:21

대한상공회의소서 ‘6G 인프라 핵심기술개발 사업 전략과제’ 등 주제 토의

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ세계 최초 5G 상용화에 이어 6G 연구개발을 위해 전문가들이 모였다.

 

19일 과학기술정보통신부에 따르면 대한상공회의소에서 ‘중장기 6G 연구개발사업’ 기획안에 대해 공청회를 개최하고 관련 전문가들과 함께 다가올 6G 시대를 전망하는 자리를 가졌다고 밝혔다.

 

이번 공청회 목적은 글로벌 논의 초기 단계인 6G에 대한 주도권을 선점하기 위해 과기부가 작성한 ‘중장기 6G 연구개발사업’의 기획안을 검토하고 관련 업계의 의견을 수렴하기 위해 마련됐다. 이동통신 분야 기업체, 대학, 출연연, 민간 포럼 관계자 등 약 300명이 참석했다.

 

또 ‘이전 세대 이동통신을 통해 바라본 향후 6G 대응 전략’, ‘6G 인프라 핵심기술개발 사업 전략과제 및 추진 방향’ 등을 주제로 토의가 이뤄졌다.

 

용홍택 과기부 정보통신산업정책관은 “우리나라가 4G LTE가 상용화된 다음해인 2012년부터 5G 통신 비전 수립을 시작한 것을 비추어 볼 때 지금부터 6G를 전망하는 것은 결코 이르지 않다”며 “이번 공청회를 통해 제안된 다양한 의견을 충분히 검토하겠다”고 말했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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