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코로나 신규 확진 629명, 3월 이후 첫 600명대

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Friday, December 04, 2020, 11:12:39

해외유입 29명·누적 확진자 3만 6332명..사망자 7명 늘어나

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ코로나19 3차 대유행이 폭발적인 확산세를 보이면서 4일 신규 확진자 수는 600명대를 넘어섰습니다. 이는 지난 2~3월 대구·경북 중심의 '1차 대유행' 이후 9개월여 만에 처음으로 600명을 돌파한 겁니다.

 

중앙방역대책본부는 이날 0시 기준으로 코로나19 신규 확진자가 629명 늘어 누적 3만 6332명이라고 밝혔습니다. 이는 전날(540명)보다는 89명는 늘어난 것으로, 600명대로 진입한 것은 1차 대유행이던 3월 3일(600명) 이후 9개월여만입니다. 수치 자체는 3월 2일(686명) 이후 277일 만의 최다 기록입니다.

 

신규 확진자 629명 중 지역발생이 600명, 해외유입이 29명입니다. 지역발생 확진자는 전날(516명)보다 84명 늘어나 600명대로 올라섰는데요. 이 역시 지난 3월 2일(684명) 이후 277일 만에 처음입니다.

 

지역별로는 서울 291명, 경기 155명, 인천 17명 등 수도권이 463명입니다. 수도권 지역발생 확진자는 전날(419명)보다 44명 늘면서 전체 지역발생의 77.1%를 차지했습니다.

 

비수도권에선 부산이 31명으로 가장 많고 이어 충남 22명, 대전 21명, 경남 16명, 전북 13명, 경북 9명, 대구 6명, 울산·충북 각 5명, 강원·전남 각 3명, 제주 2명, 광주 1명입니다.

 

주요 신규 집단발병 사례를 보면 서울 성북구 고려대 밴드동아리와 관련해 전날까지 총 18명이 감염됐고, 동대문구 지혜병원에서도 23명의 누적 확진자가 나왔습니다.

 

또 경기 부천시 순천향대 부천병원과 관련해 총 14명이 확진 판정을 받았으며, 이밖에 충북 청주의 한 화학회사(8명), 대전 유성구의 주점(9명), 전북 군산시 아파트 보수업체(10명) 사례 등에서도 확진자가 꾸준히 늘어났습니다.

 

해외유입 확진자는 29명으로, 전날(24명)보다 5명 늘었습니다. 29명 가운데 18명은 공항이나 항만 입국 검역 과정에서 확인됐고, 나머지 11명은 경기(5명), 서울(4명), 충남·전북(각 1명) 지역 거주지나 임시생활시설에서 자가격리하던 중 확진됐습니다.

 

이들의 유입 추정 국가는 러시아 12명, 미국 7명, 인도네시아 5명, 아랍에미리트·체코·독일·캐나다·아르헨티나 각 1명이다. 확진자 가운데 내국인이 12명, 외국인이 17명입니다.

 

지역발생과 해외유입을 합치면 서울 295명, 경기 160명, 인천 17명 등 수도권이 472명입니다. 전국적으로는 세종을 제외한 16개 시도에서 확진자가 나왔습니다.

 

한편 사망자는 7명 늘어 누적 536명이 됐으며 국내 평균 치명률은 1.48%입니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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