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1년새 2억 5000만원 올랐다...평균 21억원 넘어선 서울 대형 아파트

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Monday, December 07, 2020, 11:12:27

종부세 등 고강도 규제에도 상승세 지속
강남지역 중심으로 ‘똘똘한 한 채’ 수요↑

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ서울의 대형 아파트 평균 매매가격이 21억원을 넘어섰습니다. 정부가 잇따라 내놓은 고강도 규제에도 초고가 아파트 중심으로 가격이 오르며 1년 만에 평균 2억 5000만원 가량이 뛰었습니다.

 

7일 KB국민은행의 월간 주택가격동향에 따르면 지난달 서울의 대형 아파트 (전용면적 135㎡·41평 초과) 평균 매매가격은 21억 777만원으로 집계돼 처음 21억원을 넘어섰습니다. 이는 관련 통계를 작성한 지난 2016년 1월 이후 최고가입니다.

 

1년 전(18억 6202만원)과 비교하면 13.2%(2억 4575만원) 증가했고, 2년 전보다는 14.1%(2억 6010만원) 상승해 최근 1년 간 상승세가 가팔랐습니다.

 

지역별로는 강북 지역(한강 이북 14개구)의 대형 아파트 평균 매맷값이 15억 7675만원으로, 1년 전과 비교해 14.2%(1억 9661만원) 올랐습니다. 4년 전 이미 15억원 선을 넘은 강남 지역(한강 이남 11개구)의 평균 매맷값은 22억 7588만원으로 조사됐습니다.

 

강남 지역에서는 초고가 아파트가 몰려 있는 강남·서초·송파구의 대형 아파트들이 평균 매맷값 상승을 주도했습니다. 강남구 삼성동 아이파크 156.86㎡는 지난달 12일 44억 9000만원(27층)에 신고가로 거래됐습니다.

 

강남구 대치동 선경1차 136.68㎡도 지난달 17일 35억원(7층)에 신고가로 매매됐습니다. 2년 전 29억원 안팎으로 거래됐던 것이 그 사이 6억원 가량 올랐습니다.

 

고가 아파트의 대명사로 불리던 강남구 도곡동 타워팰리스1 137.24㎡도 지난달 5일 29억 3000만원(35층)에 매매 계약을 마쳐 나흘전 세웠던 28억원(49층) 신고가 기록을 갈아치웠습니다.

 

서초구에서는 반포동 반포자이 244.54㎡가 지난달 7일 42억원(21층)에 거래되며 신고가로 거래됐습니다. 송파구에서도 대형 아파트값이 20억원을 넘기는 단지가 나오며 오름세를 이어가고 있습니다.

 

전문가들은 종부세 등 부동산 관련 규제가 강화되면서 이른바 똘똘한 한 채에 집중하는 현상이 강해지고 강남 아파트 재건축 사업에 속도가 붙으면서 대형 아파트값의 상승세를 끌어올렸다는 평가합니다.

 

다만 대형 아파트값이 계속 오를지는 미지수입니다. 시중의 풍부한 유동성이 가격을 떠받쳐 강세가 지속될 것이라는 시각과 보유세 강화, 공시가격 인상 등 여파로 가격 상승세가 주춤할 수 있다는 전망이 엇갈립니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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